长鑫存储技术有限公司张世明获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利字线结构及形成方法、半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116096069B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111273068.3，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权字线结构及形成方法、半导体结构是由张世明;文浚硕;肖德元;金若兰设计研发完成，并于2021-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本字线结构及形成方法、半导体结构在说明书摘要公布了：本公开提供了一种字线结构及形成方法、半导体结构，涉及存储器技术领域。该字线结构形成方法包括：提供基底，所述基底包括衬底，在所述衬底上形成多个间隔排布的字线沟槽和有源区柱；在所述有源区柱上形成绝缘层，并在相邻的所述绝缘层之间填充第一隔离层；处理所述绝缘层，在处理后的所述绝缘层上形成环形栅极；回刻蚀所述第一隔离层，使所述第一隔离层的顶部低于所述环形栅极的底部；在所述环形栅极的顶部沉积第二隔离层，所述第一隔离层和所述第二隔离层之间形成气隙结构。通过该字线结构形成方法形成的字线结构中的环形栅极之间会形成气隙结构，通过气隙结构可以减小相邻的环形栅极之间的寄生电容，降低了时延噪声，提高了器件的性能。
本发明授权字线结构及形成方法、半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种字线结构形成方法，其特征在于， 包括： 提供基底，所述基底包括衬底，在所述衬底上形成多个间隔排布的字线沟槽和有源区柱； 在所述有源区柱上形成绝缘层，并在相邻的所述绝缘层之间填充第一隔离层； 处理所述绝缘层，在处理后的所述绝缘层上形成环形栅极； 回刻蚀所述第一隔离层，使所述第一隔离层的顶部低于所述环形栅极的底部； 在所述环形栅极的顶部沉积第二隔离层，所述第一隔离层和所述第二隔离层之间形成气隙结构。
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