长江存储科技有限责任公司吴林春获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利半导体器件及其制备方法、三维存储器、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114023752B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111274574.4，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权半导体器件及其制备方法、三维存储器、电子设备是由吴林春;张坤;周文犀设计研发完成，并于2021-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制备方法、三维存储器、电子设备在说明书摘要公布了：本公开提供了一种半导体器件及其制备方法、三维存储器、电子设备，涉及半导体芯片技术领域，旨在解决过度刻蚀导致的不同栅极层中栅线短接的问题。半导体器件包括叠层结构，导电垫，耦接部和沿第一方向延伸的第一栅线触点。叠层结构具有台阶区，包括沿第一方向交替叠置的多条栅线和多个绝缘层，多条栅线包括第一栅线；多个绝缘层包括第一绝缘层，第一绝缘层位于第一栅线沿第一方向的一侧且与第一栅线接触。在台阶区，导电垫位于第一栅线沿第一方向的一侧，且通过第一绝缘层与第一栅线隔开。耦接部被配置为使所述导电部和所述第一栅线耦接。第一栅线触点与导电垫位于第一栅线的同一侧，且与导电垫连接。
本发明授权半导体器件及其制备方法、三维存储器、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 叠层结构，具有台阶区，所述叠层结构包括沿第一方向交替叠置的多条栅线和多个绝缘层，所述多条栅线包括第一栅线；所述多个绝缘层包括第一绝缘层，所述第一绝缘层位于所述第一栅线沿所述第一方向的一侧且与所述第一栅线接触； 导电部，在所述台阶区，所述导电部位于所述第一栅线沿所述第一方向的一侧，且通过所述第一绝缘层与所述第一栅线隔开； 耦接部，被配置为使所述导电部和所述第一栅线耦接； 沿所述第一方向延伸的第一栅线触点，与所述导电部位于所述第一栅线的同一侧，且与所述导电部连接。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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