上海华力微电子有限公司焦爽获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力微电子有限公司申请的专利一种高压器件的栅氧层及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114005746B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111276185.5，技术领域涉及：H01L21/28；该发明授权一种高压器件的栅氧层及其制造方法是由焦爽;秋沉沉;钱俊设计研发完成，并于2021-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高压器件的栅氧层及其制造方法在说明书摘要公布了：一种高压器件的栅氧层之制造方法，包括：提供硅基衬底，并在硅基衬底上沉积垫层氧化硅；在硅基衬底上设置有源区；在有源区设置高压栅氧区，并去除垫层氧化硅；在高压栅氧区通过常压扩散炉管工艺生长第一栅氧层；对第一栅氧层进行表面杂质清洗；在经过表面杂质清洗后的第一栅氧层上通过高温氧化膜工艺生长第二栅氧层。本发明高温器件的栅氧层经过两次热处理工艺，增加了栅氧层的厚度，使缺陷线在所述第二栅氧层和所述第一栅氧层中随机排布，无法扩散到呈纵向叠置的复合结构之栅氧层，进而避免了所述第二栅氧层之上表面与所述第一栅氧层之下表面形成漏电通路问题，提高了栅氧层的可靠性，增强了高压器件的耐压性33.3％。
本发明授权一种高压器件的栅氧层及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种高压器件的栅氧层之制造方法，其特征在于，所述高压器件的栅氧层之制造方法，包括： 执行步骤S1：提供硅基衬底，并在所述硅基衬底上沉积垫层氧化硅； 执行步骤S2：在所述硅基衬底上设置有源区，且所述有源区通过浅沟槽隔离结构进行隔离； 执行步骤S3：在所述有源区设置高压栅氧区，并去除垫层氧化硅； 执行步骤S4：在所述高压栅氧区通过常压扩散炉管工艺生长第一栅氧层； 执行步骤S5：对所述第一栅氧层进行表面杂质清洗； 执行步骤S6：在经过表面杂质清洗后的第一栅氧层上进一步通过高温氧化膜工艺生长第二栅氧层； 所述第一栅氧层的生长速度大于所述第二栅氧层的生长速度，所述第一栅氧层的厚度大于所述第二栅氧层的厚度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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