长鑫存储技术有限公司夏军获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体器件的制造方法和半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116096224B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111300177.X，技术领域涉及：H10N97/00；该发明授权半导体器件的制造方法和半导体器件是由夏军;白世杰设计研发完成，并于2021-11-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件的制造方法和半导体器件在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体器件的制造方法和半导体器件；制造方法包括：提供半导体衬底，衬底具有第一区域和第二区域；在衬底的上表面形成初始掩膜层；图形化初始掩膜层，在第一区域上形成具有第一高度的第一图形掩膜，在第二区域上形成具有第二高度的第二图形掩膜，第一图形掩膜的图形密度大于第二图形掩膜的图形密度，第一高度大于第二高度；基于第一图形掩膜和第二图形掩膜对衬底进行刻蚀，将第一图形掩膜的图形转移至第一区域，将第二图形掩膜的图形转移至第二区域。本申请的方案在掩膜的图形密度不同的区域形成不同的掩膜厚度，平衡不同图形密度在刻蚀过程中所带来的刻蚀负载效应，提升高深宽比结构的蚀刻能力，减少缺陷来源。
本发明授权半导体器件的制造方法和半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括： 提供半导体衬底，所述衬底具有第一区域和第二区域； 在所述衬底的上表面形成初始掩膜层； 图形化所述初始掩膜层，包括：提供第一图形模板，在所述第一区域上的所述初始掩膜层中形成第一图形掩膜，在所述第二区域上的所述初始掩膜层中形成第二图形掩膜，所述第一图形掩膜的图形密度大于所述第二图形掩膜的图形密度；部分刻蚀所述第二图形掩膜，使得所述第二图形掩膜的高度小于所述第一图形掩膜的高度； 基于所述第一图形掩膜和所述第二图形掩膜对所述衬底进行刻蚀，将所述第一图形掩膜的图形转移至所述第一区域，将所述第二图形掩膜的图形转移至所述第二区域。
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