华进半导体封装先导技术研发中心有限公司;上海先方半导体有限公司樊嘉祺获国家专利权
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龙图腾网获悉华进半导体封装先导技术研发中心有限公司;上海先方半导体有限公司申请的专利一种重布线层结构及其构造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114068465B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111302673.9，技术领域涉及：H01L23/488；该发明授权一种重布线层结构及其构造方法是由樊嘉祺;孙鹏设计研发完成，并于2021-11-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种重布线层结构及其构造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及芯片封装技术领域，提出一种重布线层结构及其构造方法。该结构包括第一聚酰亚胺层和第一重布线层，其中所述第一聚酰亚胺层具有第一过孔；一个或者多个第二聚酰亚胺层和第二重布线层，其中所述第二聚酰亚胺层具有第二过孔；以及第三聚酰亚胺层，其中所述第三聚酰亚胺层具有第三过孔；其中，所述第一过孔和第二过孔包括多个第一孔径的小孔径过孔，所述第三过孔包括第二孔径的大孔径过孔，所述第一孔径小于所述第二孔径。
本发明授权一种重布线层结构及其构造方法在权利要求书中公布了：1.一种重布线层结构，其特征在于，包括： 第一介质层和第一重布线层，其中所述第一介质层具有第一过孔； 一个或者多个第二介质层和第二重布线层，其中所述第二介质层具有第二过孔； 第三介质层，其中所述第三介质层具有第三过孔；以及 柱凸块，所述柱凸块布置于所述第三过孔处； 其中，所述第一过孔和第二过孔包括多个小孔径过孔，所述第三过孔包括大孔径过孔，所述小孔径过孔的孔径小于所述大孔径过孔的孔径。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华进半导体封装先导技术研发中心有限公司;上海先方半导体有限公司，其通讯地址为：214028 江苏省无锡市新区菱湖大道200号中国传感网国际创新园D1栋；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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