买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉瑞砻科技股份有限公司申请的专利增强型III-V族半导体元件与其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115377215B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111326765.0，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权增强型III-V族半导体元件与其制造方法是由邱显钦;王祥骏;邱昭玮;何焱腾设计研发完成，并于2021-11-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本增强型III-V族半导体元件与其制造方法在说明书摘要公布了：一种增强型III‑V族半导体元件及其制造方法，其包括：基板；形成于基板之上的缓冲层；形成于缓冲层的GaN的通道层；形成于通道层之上的AlGaN的阻障层；形成于阻障层之上的AlGaN的蚀刻停止层，其化学组成式为AlxGa1‑xN，其中0.4＝x＝0.7，且AlGaN的蚀刻停止层对应于源极与漏极区域的厚度小于AlGaN的蚀刻停止层对应于栅极区域的厚度；形成于所述AlGaN的蚀刻停止层的栅极区域的pGaN层；以及分别形成于所述AlGaN的蚀刻停止层的源极区域与漏极区域上的源极与漏极。本发明实施例提供了增强型III‑V族半导体元件具有良好晶格匹配、高元件崩溃电压且动态电阻晶体管特性佳等优点。

本发明授权增强型III-V族半导体元件与其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种增强型III-V族半导体元件，包括： 一基板108； 形成于所述基板108之上的一缓冲层107； 形成于所述缓冲层107的一GaN的通道层106； 形成于所述通道层106之上的一AlGaN的阻障层105； 形成于所述阻障层105之上的一AlGaN的蚀刻停止层104A，其化学组成式为AlxGa1-xN，其中0.4＝x＝0.7，且所述AlGaN的蚀刻停止层104A对应于源极与漏极区域的厚度小于所述AlGaN的蚀刻停止层104A对应于栅极区域的厚度，且所述AlGaN的蚀刻停止层104A的蚀刻损耗原厚度为10％至90％； 形成于所述AlGaN的蚀刻停止层104A的栅极区域的一pGaN层103，其中所述AlGaN的蚀刻停止层104A对应于所述pGaN层103的厚度大于所述AlGaN的蚀刻停止层104A对应于所述pGaN层103至源极区域之间的厚度以及大于所述AlGaN的蚀刻停止层104A对应于所述pGaN层103至漏极区域的厚度；以及 分别形成于所述AlGaN的蚀刻停止层104A的源极区域与漏极区域上的一源极100与一漏极101。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人瑞砻科技股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾桃园市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。