买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种用于制作GaN HEMT的横向金刚石/GaN/金刚石衬底及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114361013B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111387283.6，技术领域涉及：H01L21/18；该发明授权一种用于制作GaN HEMT的横向金刚石/GaN/金刚石衬底及制备方法是由许晟瑞;王心颢;贠博祥;卢灏;刘旭;徐爽;张进成;张金风;郝跃设计研发完成，并于2021-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于制作GaN HEMT的横向金刚石/GaN/金刚石衬底及制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种用于制作GaNHEMT的横向金刚石GaN金刚石衬底及制备方法，方法包括：获取两片多晶金刚石，通过抛光将多晶金刚石的其中一面抛光成光滑面；获取GaN单晶晶片，通过抛光将GaN单晶晶片的两面均抛光成光滑面，其中，GaN单晶晶片的光滑面为非极性面；利用低温键合工艺将两片多晶金刚石的光滑面分别与GaN单晶晶片的两个光滑面进行键合，以得到横向多晶金刚石GaN多晶金刚石衬底。本发明改善了传统GaN外延衬底的散热能力，并能提高外延GaN的质量，并进一步提高了器件的工作寿命和稳定性，从而为器件在大功率下的工作奠定了基础，可用于制作高频、大功率GaN基HEMT器件。

本发明授权一种用于制作GaN HEMT的横向金刚石/GaN/金刚石衬底及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种用于制作GaNHEMT的横向金刚石GaN金刚石衬底的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 获取两片多晶金刚石，通过抛光将所述多晶金刚石的其中一面抛光成光滑面； 获取GaN单晶晶片，通过抛光将所述GaN单晶晶片的两面均抛光成光滑面，其中，所述GaN单晶晶片是非极性单晶晶片，所述GaN单晶晶片的光滑面为非极性面； 使用CVD工艺，分别在所述GaN单晶晶片和所述多晶金刚石的光滑面上淀积SiN键合层； 控制温度为150℃以下，在气压低于10-5Pa的低真空度下，施加1-100N压力，持续时间为1-10min，以使得所述GaN单晶晶片的两个光滑面分别与两个多晶金刚石的光滑面进行键合； 在300-500℃温度条件下，对键合处理后的所述GaN单晶晶片和所述多晶金刚石进行热退火处理，其中，热退火时间为10-30min； 使用激光切割工艺对热退火处理后的所述GaN单晶晶片和所述多晶金刚石进行纵向切片，以得到若干切片，其中，切片厚度为1-10mm； 将所述切片的单面或双面机械抛光至镜面，以得到横向多晶金刚石GaN多晶金刚石衬底，所述横向金刚石GaN金刚石衬底包括：多晶金刚石1、SiN键合层2、GaN单晶晶片3、SiN键合层4、多晶金刚石5，多晶金刚石1、SiN键合层2、GaN单晶晶片3、SiN键合层4、多晶金刚5自左向右依次排布；所述横向金刚石GaN金刚石衬底的表面的GaN为极性面，并且，所述横向金刚石GaN金刚石衬底的两面均用于进行外延生长，以分别实现Ga面或N面外延。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西安电子科技大学，其通讯地址为：710000 陕西省西安市雁塔区太白南路2号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。