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龙图腾网获悉北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所申请的专利一种预估器件在轨单粒子翻转率参考区间的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114417683B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111546918.2，技术领域涉及：G06F30/25；该发明授权一种预估器件在轨单粒子翻转率参考区间的方法是由李哲;毕潇;陈雷;王煌伟;武永俊;缑纯良;王亮;郑宏超;张健鹏;徐雷霈;张栩椉;董涛设计研发完成，并于2021-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种预估器件在轨单粒子翻转率参考区间的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种预估器件在轨单粒子翻转率参考区间的方法，该方法通过开展地面重离子辐照试验，获取器件单粒子翻转截面σ和入射离子参数LET的试验数据；对单粒子翻转饱和截面σsat、单粒子翻转LET阈值LETth、器件敏感区深度d、器件器件漏斗长度F等参数的区间范围进行预估；在预估范围内对每一个参数进行调节，利用威布尔曲线进行拟合，采用蒙卡仿真工具开展仿真获取在轨单粒子翻转率；最终获取每一个参数与在轨翻转率平均优值的变化关系，从而确定器件在轨单粒子翻转率的参考区间；该方法能够获取器件，尤其是商用器件的在轨单粒子翻转率的参考区间，有效指导宇航器件的选型。

本发明授权一种预估器件在轨单粒子翻转率参考区间的方法在权利要求书中公布了：1.一种预估器件在轨单粒子翻转率参考区间的方法，其特征在于包括下列步骤： 步骤1开展地面重离子辐照试验，获取器件单粒子翻转截面σ和入射离子参数LET的试验数据； 步骤2预估单粒子翻转饱和截面σsat、单粒子翻转LET阈值LETth、器件敏感区深度d、器件漏斗长度F的区间范围； 步骤3在预估范围内对每一个参数进行调节，采用恰当的估计方法对单粒子威布尔曲线进行拟合，最终采用蒙卡仿真工具开展仿真，获取空间条件下器件的单粒子在轨翻转率及在轨翻转率平均优值； 步骤4获取每一个参数变化与在轨翻转率平均优值的关系，从而确定器件在轨单粒子翻转率参考区间； 所述步骤3的具体实现步骤为： 步骤3.1对单粒子翻转饱和截面、单粒子翻转LET阈值在预估范围内进行调节，利用最小二乘法开展威布尔拟合获取单粒子威布尔曲线参数； 单粒子威布尔曲线具体形式为： σLET＝σsat1－exp{－[LET－LETthW]S} σLET表示LET值下的单粒子翻转截面，W表示威布尔曲线的宽度参数，S表示威布尔曲线的形状参数； 对上式两边取2次自然对数处理后得到， lnLET－LETth＝1S×ln{ln[σsatσsat－σLET]}+lnW 于是变成了线性方程y＝mx+b,其中 y＝lnLET－LETth m＝1S x＝ln{ln[σsatσsat－σLET]} b＝lnW 根据最小二乘法进行线性回归分析，求出线性方程中的斜率m值和截距b值，那么便求出了威布尔曲线的宽度参数W以及形状参数S； 步骤3.2对敏感区深度和器件漏斗长度在预估范围内进行调节，结合获取的单粒子威布尔曲线的参数，获取蒙卡仿真所需全部参数； 步骤3.3在蒙卡仿真工具中进行仿真，获取空间条件下的单粒子在轨翻转率。

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