上海电力大学王娟获国家专利权
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龙图腾网获悉上海电力大学申请的专利一种抗光腐蚀纳米棒阵列光阳极及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116375355B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111608810.1，技术领域涉及：C03C17/34；该发明授权一种抗光腐蚀纳米棒阵列光阳极及其制备方法是由王娟;秦依末设计研发完成，并于2021-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种抗光腐蚀纳米棒阵列光阳极及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明通过将二维材料MXene的技术与半导体材料技术结合，得到一种新的抗光腐蚀纳米棒阵列光阳极材料，该材料能够提高光生载流子传输速率、抑制载流子重组，提升光电性能。具体地，本发明提供了一种新型抗光腐蚀纳米棒阵列光阳极的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1，制备生长有CdS纳米棒阵列的氧化铟锡导电玻璃；步骤S2，制备少层Nb2C纳米片层；步骤S3，采用CdS纳米棒阵列和少层Nb2C纳米片层制备Nb2C纳米片CdS纳米棒复合光阳极作为新型抗光腐蚀纳米棒阵列光阳极。
本发明授权一种抗光腐蚀纳米棒阵列光阳极及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种抗光腐蚀纳米棒阵列光阳极的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤S1，制备生长有CdS纳米棒阵列的氧化铟锡导电玻璃； 步骤S2，制备少层Nb2C纳米片层； 步骤S3，采用生长有所述CdS纳米棒阵列的所述氧化铟锡导电玻璃和所述少层Nb2C纳米片层制备Nb2C纳米片CdS纳米棒复合光阳极作为所述抗光腐蚀纳米棒阵列光阳极， 其中，步骤S3包括： 步骤S3-1，将所述少层Nb2C纳米片层超声分散于乙醇中形成少层Nb2C纳米片层分散液； 步骤S3-2，取预定量的所述少层Nb2C纳米片层分散液滴于生长有所述CdS纳米棒阵列的所述氧化铟锡导电玻璃上，自然干燥成膜，得到所述Nb2C纳米片CdS纳米棒复合光阳极。
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