杭州电子科技大学张俐楠获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州电子科技大学申请的专利一种基于电场作用修正硅基材料晶格缺陷的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114300355B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111637888.6，技术领域涉及：H01L21/322；该发明授权一种基于电场作用修正硅基材料晶格缺陷的方法是由张俐楠;靳力春;刘红英;吴立群;王洪成设计研发完成，并于2021-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于电场作用修正硅基材料晶格缺陷的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于电场作用修正硅基材料晶格缺陷的方法，本发明的一种基于电场作用修正硅基材料晶格缺陷的方法通过对湿法刻蚀后的硅基材料进行预热处理和施加直流电场，以此来修正硅基材料自身的晶格缺陷以及其在湿法刻蚀过程中产生的晶格缺陷，在高温条件下配合电场力产生的电子风力作用在相关电子以及原子上，使硅基材料恢复其原本的状态，从而提高硅基材料的品质因数，提升其应用性能并增大其应用前景。
本发明授权一种基于电场作用修正硅基材料晶格缺陷的方法在权利要求书中公布了：1.一种基于电场作用修正硅基材料晶格缺陷的方法，其特征在于，包括以下步骤： 将硅基材料进行清洗处理； 将所述清洗处理后的硅基材料采用湿法刻蚀方法进行刻蚀处理； 将所述刻蚀处理后的硅基材料先进行预热处理，所述预热处理的温度为900~1300℃，之后在高温状态下施加直流电场进行晶格缺陷的修正。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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