泰科天润半导体科技(北京)有限公司何佳获国家专利权
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龙图腾网获悉泰科天润半导体科技(北京)有限公司申请的专利一种高耐漏极电压冲击的碳化硅VDMOS获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223286134U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422614990.X，技术领域涉及：H10D30/01；该实用新型一种高耐漏极电压冲击的碳化硅VDMOS是由何佳;施广彦;李昀佶;陈彤;张长沙设计研发完成，并于2024-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高耐漏极电压冲击的碳化硅VDMOS在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种高耐漏极电压冲击的碳化硅VDMOS，漂移层连接至碳化硅衬底；漂移层内设有均流层以及多个掩蔽层，掩蔽层位于均流层上方，多个掩蔽层均匀间隔设置；N型区域连接至漂移层；P型阱区连接至N型区域，P型阱区连接至漂移层，P型阱区内设有N型源区；绝缘介质层连接漂移层，绝缘介质层连接至P型阱区以及N型源区；绝缘介质层内设有沟槽；栅极金属层设于沟槽内；源极金属层分别连接N型区域、P型阱区以及N型源区；漏极金属层连接至碳化硅衬底；提高器件耐漏极电压冲击，并降低了器件的栅源电容，提高器件的开关速度，降低器件的开关损耗，同时可以降低器件的体二极管导通损耗、提高器件的反向恢复速度。
本实用新型一种高耐漏极电压冲击的碳化硅VDMOS在权利要求书中公布了：1.一种高耐漏极电压冲击的碳化硅VDMOS，其特征在于：包括： 碳化硅衬底， 漂移层，所述漂移层下侧面连接至所述碳化硅衬底上侧面；所述漂移层内设有均流层以及多个掩蔽层，所述掩蔽层位于所述均流层上方，多个所述掩蔽层均匀间隔设置； N型区域，所述N型区域下侧面连接至所述漂移层上侧面； P型阱区，所述P型阱区外侧面连接至所述N型区域内侧面，所述P型阱区下侧面连接至所述漂移层上侧面，所述P型阱区内设有N型源区； 绝缘介质层，所述绝缘介质层下侧面连接所述漂移层上侧面，所述绝缘介质层外侧面连接至所述P型阱区内侧面以及N型源区内侧；所述绝缘介质层内设有沟槽，所述沟槽为倒T字型； 栅极金属层，所述栅极金属层设于所述沟槽内，所述栅极金属层为倒T字型； 源极金属层，所述源极金属层分别连接所述N型区域、P型阱区以及N型源区； 以及，漏极金属层，所述漏极金属层连接至所述碳化硅衬底下侧面。
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