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龙图腾网获悉上海车仪田科技有限公司申请的专利一种双光束激光干涉检测装置及检测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120426860B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510926149.0，技术领域涉及：G01B9/02055；该发明授权一种双光束激光干涉检测装置及检测方法是由张南南;张黎明;钟辉;郭军涛;唐凯;黄兴玉设计研发完成，并于2025-07-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种双光束激光干涉检测装置及检测方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种双光束激光干涉检测装置及检测方法，用于半导体刻蚀和薄膜工艺终点检测，双光束激光干涉检测装置包括成像单元、检测单元和参考单元；检测单元包括第一发射件，用于发射检测光线，检测光线经由成像单元聚焦至晶圆；第一探测器输出第一反射信号；参考单元包括第二发射件，向成像单元发射参考光线，使参考光线聚焦于半导体设备窗口；第二探测器输出第二反射信号。在检测过程中，将第一反射信号和第二反射信号进行差值计算，得到消除干扰后的光强信号，根据消除干扰后的光强信号计算晶圆的刻蚀深度或薄膜沉积厚度。本发明能够消除半导体设备振动和环境不稳定的因素造成的晶圆刻蚀深度与薄膜沉积厚度终点检测的准确度不足的问题。

本发明授权一种双光束激光干涉检测装置及检测方法在权利要求书中公布了：1.一种双光束激光干涉检测装置，用于半导体刻蚀和薄膜工艺终点检测，其特征在于，所述双光束激光干涉检测装置包括成像单元、检测单元和参考单元； 所述检测单元包括： 第一发射件，设于所述成像单元的一侧，用于发射检测光线，所述检测光线经由所述成像单元聚焦至晶圆； 第一探测器，设于所述成像单元的一侧，用于接收所述晶圆反射的检测光线并输出第一反射信号； 所述参考单元包括： 第二发射件，设于所述成像单元的一侧，用于向所述成像单元发射参考光线，以使部分所述参考光线聚焦于半导体设备窗口； 第二探测器，设于所述成像单元的一侧，以接收所述半导体设备窗口反射的参考光线并输出第二反射信号； 在终点检测过程中，将所述第一反射信号和所述第二反射信号进行差值计算，以得到消除干扰后的光强信号，以根据消除干扰后的所述光强信号计算所述晶圆的刻蚀深度或薄膜沉积厚度； 所述成像单元包括依次设置的第一分光镜、第二分光镜、透镜组和超透镜； 所述第一发射件设于所述第二分光镜的一侧，用于向所述第二分光镜发射检测光线，以使所述检测光线依次经过所述第二分光镜、所述透镜组和所述超透镜后聚焦至晶圆； 所述参考光线包括第一光线和第二光线，所述第一光线为准直光且所述第一光线经过所述第一分光镜、所述第二分光镜和所述透镜组后形成第二光线；所述第二光线经过所述超透镜后，一部分聚焦于半导体设备窗口，另一部分照明所述晶圆； 所述第二发射件可移动的设于所述第一分光镜的一侧，以适配所述透镜组的焦距变化，使所述第二光线为准直光。

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