三国电子有限会社田中荣获国家专利权
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龙图腾网获悉三国电子有限会社申请的专利晶体管、晶体管的制造方法、及使用该晶体管的显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110957372B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910900911.2，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权晶体管、晶体管的制造方法、及使用该晶体管的显示装置是由田中荣设计研发完成，并于2019-09-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶体管、晶体管的制造方法、及使用该晶体管的显示装置在说明书摘要公布了：本发明的晶体管具有：氧化物半导体层，其配置在衬底上，且包含靠近衬底的第1区域、及配置在所述第1区域的和所述衬底侧相反的面上且载流子浓度低于所述第1区域的第2区域；第1栅极电极，其具有和所述氧化物半导体层重叠的区域，且配置在所述氧化物半导体层的和所述衬底侧相反的面上；第1绝缘层，其位于所述第1栅极电极和所述氧化物半导体层之间；以及第1氧化物导电层及第2氧化物导电层，它们配置在所述氧化物半导体层和所述衬底之间，且包含和所述氧化物半导体层相接的区域。
本发明授权晶体管、晶体管的制造方法、及使用该晶体管的显示装置在权利要求书中公布了：1.一种晶体管，其包含： 氧化物半导体层，其配置在衬底上，且包含第1区域和第2区域； 第1栅极电极，其具有和所述氧化物半导体层重叠的区域，且配置在所述氧化物半导体层的和所述衬底侧相反的面上； 第1绝缘层，其位于所述第1栅极电极和所述氧化物半导体层之间；以及 第1氧化物导电层及第2氧化物导电层，它们配置在所述氧化物半导体层和所述衬底之间，且包含和所述氧化物半导体层相接的区域； 所述第1区域和所述第2区域具有重叠的区域，所述第1区域配置在所述衬底侧，所述第2区域配置在和所述衬底相反一侧； 所述氧化物半导体层的所述第2区域的导带的底部的能级高于所述氧化物半导体层的所述第1区域的导带的底部的能级； 所述氧化物半导体层的所述第2区域的带隙大于所述氧化物半导体层的所述第1区域的带隙；且 所述氧化物半导体层中，所述第1区域的载流子迁移率大于所述第2区域的载流子迁移率。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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