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龙图腾网获悉福建省晋华集成电路有限公司申请的专利掩模板组合及接触插塞制作方法、半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111640705B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910925253.2，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权掩模板组合及接触插塞制作方法、半导体器件及其制造方法是由赖惠先;童宇诚;林昭维;朱家仪;吕前宏设计研发完成，并于2019-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本掩模板组合及接触插塞制作方法、半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种掩模板组合及接触插塞制作方法、半导体器件及其制造方法，通过本发明提供的掩模版组合，来定义接触插塞的形成位置，以使得核心区边界处的部分有源区的上方无接触插塞，而核心区边界处的其他有源区以及核心区内部的有源区的上方均有接触插塞，由此，后续再采用现有工艺在核心区的内部和边界处形成相应的电学结构时，使得核心区边界处的部分电学结构因其下方没有与有源区接触的接触插塞而变为虚拟结构，由此可以避免制造出来的半导体器件因核心区边界处的电学结构的问题而导致不能通过相关测试的问题，继而提高了制得的半导体器件的性能和合格率。

本发明授权掩模板组合及接触插塞制作方法、半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种掩模板组合，用于制作接触插塞，其特征在于，所述掩模板组合包括： 第一掩模板，具有多条平行的第一遮光条纹，相邻的两条第一遮光条纹之间为第一透光区； 第二掩模板，具有多条平行且与每条第一遮光条纹相交的第二遮光条纹，相邻的两条第二遮光条纹之间为第二透光区； 第三掩模板，具有遮光块和与遮光块互补的第三透光区，所述遮光块具有面向所述第三掩模板中心的锯齿状边缘，以覆盖所述第一掩模板的边界处的至少一条第一遮光条纹和该条第一遮光条纹最近邻的部分第一透光区，以及，覆盖所述第二掩模板的边界处的至少两条第二遮光条纹以及所述两条第二遮光条纹之间的部分第二透光区，第三透光区、第一透光区和第二透光区的重叠区域为形成接触插塞的区域； 其中，在通过所述第一掩模板、所述第二掩模板和所述第三掩模板的组合来定义接触插塞的形成位置时，利用第三掩模板的锯齿状边缘来掩蔽待制造的半导体器件的核心区边界处易出问题的有源区，使其上方无接触插塞形成，同时暴露出所述待制造的半导体器件的核心区边界处其他有源区位置，使其上方有接触插塞形成。

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