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龙图腾网获悉全球能源互联网研究院有限公司;国网浙江省电力有限公司;国家电网有限公司申请的专利一种半导体器件单元及其制作方法及形成器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112582460B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910937911.X，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种半导体器件单元及其制作方法及形成器件是由查祎英;金锐;董少华;王耀华;桑玲;吴军民;潘艳设计研发完成，并于2019-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件单元及其制作方法及形成器件在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体器件单元及其制作方法及形成器件，其特征在于，所述单元包括：具有两种掺杂特性半导体材料层堆叠而成的层叠层、栅控制结构和绝缘钝化层31；所述层叠层为凸台结构，上底面小于下底面，所述凸台侧面具有正斜角或直角结构；所述绝缘钝化层31设置于所述层叠层的侧面，且配合所述正斜角或直角结构与所述层叠层构成立方体结构；所述栅控制结构设置在所述绝缘钝化层31和所述层叠层之间。本发明可以实现受力面平整、受力均匀、绝缘栅受力小，可实现大面积互联。

本发明授权一种半导体器件单元及其制作方法及形成器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件单元，其特征在于，所述单元包括：具有两种掺杂特性半导体材料层堆叠而成的层叠层、栅控制结构和绝缘钝化层（31）； 所述层叠层为凸台结构，上底面小于下底面，所述凸台侧面具有正斜角或直角结构； 所述绝缘钝化层（31）设置于所述层叠层的侧面，且配合所述正斜角或直角结构与所述层叠层构成立方体结构； 所述栅控制结构设置在所述绝缘钝化层（31）和所述层叠层之间； 其中，所述层叠层包括：从下至上依次排列的集电区（10）、漂移区（20）、阱区（11）和发射区（21）；所述单元还包括：阱接触电极（42’）； 所述栅控制结构包括：绝缘栅（30）和栅电极（41）； 所述栅电极（41）设置在第一个所述绝缘钝化层（31）下方，所述阱接触电极（42’）设置在第二个所述绝缘钝化层（31）下方； 所述层叠层与所述栅电极（41）之间设有所述绝缘栅（30），且所述层叠层与第一个所述绝缘钝化层（31）之间设有所述绝缘栅（30）； 所述层叠层和第二个所述绝缘钝化层（31）之间设有所述绝缘栅（30）； 所述阱接触电极（42’）的上表面与所述绝缘栅（30）接触；所述阱接触电极（42’）的侧表面与所述漂移区（20）的侧面接触；所述阱接触电极（42’）的下表面与所述集电区（10）的上表面接触。

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