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龙图腾网获悉矽力杰半导体技术(杭州)有限公司申请的专利封装结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110767647B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911118181.7，技术领域涉及：H10D80/30；该发明授权封装结构及其制造方法是由危建;代克;颜佳佳设计研发完成，并于2019-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本封装结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种封装结构及其制造方法，所述封装结构包括：第一电气连接层；芯片，位于所述第一电气连接层上；至少一层第二电气连接层，位于所述芯片之上，所述第一电气连接层和第一层所述第二电气连接层之间通过导电柱实现电连接；第一类电子元件，位于最顶层的所述第二电气连接层的上方，所述第一类电子元件通过至少一层所述第二电气连接层与所述第一电气连接层实现电连接，其中，至少在最顶层的所述第二电气连接层与所述第一类电子元件之间设置有第二类电子元件，以增加封装布线的灵活性，以及提高封装的集成度，所述封装结构还包括至少位于第一类电子元件与最顶层的所述第二电气连接层之间的金属柱，以增加所述封装结构的散热。

本发明授权封装结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种封装结构，其特征在于，所述封装结构配置为模块电源的封装结构，所述封装结构包括： 第一电气连接层，所述封装结构的外引脚位于所述第一电气连接层的下表面； 芯片，位于所述第一电气连接层的上表面上，所述第一电气连接层上表面与下表面相对； 至少一层第二电气连接层，位于所述芯片之上，所述第一电气连接层和第一层所述第二电气连接层之间通过导电柱实现电连接； 第一类电子元件，位于最顶层的所述第二电气连接层的上方，所述第一类电子元件通过至少一层所述第二电气连接层与所述第一电气连接层实现电连接，其中，至少在最顶层的所述第二电气连接层与所述第一类电子元件之间设置有第二类电子元件，所述第一类电子元件为电感元件，所述第二类电子元件为电容或电阻； 其中，所述封装结构还包括金属柱，所述金属柱至少位于第一类电子元件与最顶层的所述第二电气连接层之间，以增加所述封装结构的散热； 第二封装体，用于囊封至少一层所述第二电气连接层、所述金属柱、以及所述第二类电子元件。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人矽力杰半导体技术(杭州)有限公司，其通讯地址为：310051 浙江省杭州市滨江区西兴街道联慧街6号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。