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龙图腾网获悉创新有限公司申请的专利用于加工半导体材料的方法和光学系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113811981B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080034669.6，技术领域涉及：H01L21/20；该发明授权用于加工半导体材料的方法和光学系统是由S·格伯特;H·卡勒特设计研发完成，并于2020-04-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于加工半导体材料的方法和光学系统在说明书摘要公布了：公开了一种用于加工半导体材料层、尤其是用于生成结晶半导体层的方法和光学系统。该方法具有以下步骤：‑提供具有第一激光脉冲76的第一激光束74和具有第二激光脉冲86的第二激光束84，‑借助光束成形装置将第一激光脉冲76和第二激光脉冲86整形为线形的、具有短轴和长轴的激光脉冲，‑借助成像装置将成形的线形激光脉冲在半导体材料层上成像为具有短轴和长轴的照射线，其中，该方法还包括以下步骤：‑设定第一激光脉冲76的偏振方向在照射线36的短轴方向上，‑设定第二激光脉冲86的偏振方向在照射线的长轴方向上，以及‑使第二激光脉冲86相对于第一激光脉冲76在时间上延迟预定时间间隔Δt，所述预定时间间隔Δt选择为，使得成像在半导体材料层上的照射线具有第一最大值M1和第二最大值M2的脉冲形状的组合时间强度变化曲线96。

本发明授权用于加工半导体材料的方法和光学系统在权利要求书中公布了：1.一种用于生成结晶半导体层的方法，具有以下步骤： -提供具有第一激光脉冲76的第一激光束74和具有第二激光脉冲86的第二激光束84， -借助光束成形装置32将所述第一激光脉冲76和所述第二激光脉冲86整形为线形的、具有短轴和长轴的激光脉冲， -借助成像装置34将这样成形的线形激光脉冲在半导体材料层12上成像为具有短轴和长轴的照射线36， 其中，该方法还包括以下步骤： -借助于第一偏振装置将所述第一激光脉冲76的偏振方向校准在所述照射线36的短轴方向上， -借助于第二偏振装置将所述第二激光脉冲86的偏振方向校准在所述照射线36的长轴方向上，以及 -使所述第二激光脉冲86相对于所述第一激光脉冲76时间延迟预定时间间隔Δt，所述预定时间间隔Δt选择为，使得成像在所述半导体材料层12上的照射线36具有脉冲形状的组合时间强度变化曲线96，该组合时间强度变化曲线96具有第一最大值M1和第二最大值M2，其中所述第一激光脉冲76和所述第二激光脉冲86各自具有在15ns和20ns之间的时间半值宽度，并且其中所述预定时间间隔Δt为10ns至20ns。

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