全球能源互联网研究院有限公司吴鹏飞获国家专利权
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龙图腾网获悉全球能源互联网研究院有限公司申请的专利一种功率半导体器件壳温多点测量装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111537105B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010362211.5，技术领域涉及：G01K13/00；该发明授权一种功率半导体器件壳温多点测量装置是由吴鹏飞;李翠;张雷;杨晓亮;李尧圣;李金元;吴军民设计研发完成，并于2020-04-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种功率半导体器件壳温多点测量装置在说明书摘要公布了：本发明提供一种功率半导体器件壳温多点测量装置，设置于换热器2上，其包括测温基板1‑1和多个测温元件1‑2；所述测温基板1‑1安装于换热器2上，所述多个测温元件1‑2安装于所述测温基板1‑1上；测量时，所述多个测温元件1‑2置于半导体功率器件的外壳上，用于对功率半导体器件壳温进行多点测量，测试过程简单，提高了测试效率和准确性；多个测温元件1‑2实现功率半导体器件壳温的多点测量，测温基板内部的丰字型沟槽结构布置有效避开了芯片位置，对被测器件电热机械等性能影响小，容易加工；可用于不同封装形式的功率半导体器件壳温测量，通用性好。
本发明授权一种功率半导体器件壳温多点测量装置在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体器件壳温多点测量装置，其特征在于，设置于换热器2上，其包括测温基板1-1和多个测温元件1-2； 所述测温基板1-1安装于换热器2上，所述多个测温元件1-2安装于所述测温基板1-1上； 测量时，所述多个测温元件1-2置于半导体功率器件的外壳上，用于对功率半导体器件壳温进行多点测量； 所述测温基板1-1上开有多条纵向主沟槽，在每条纵向主沟槽上开有多条横向分支沟道；每条纵向主沟槽和连接的横向分支沟道形成丰字型沟槽1-1-1，所述丰字型沟槽1-1-1贯通测温基板1-1的上表面和下表面，所述丰字型沟槽1-1-1的一端与第一条横向分支沟道连接，其另一端外延至测温基板1-1的侧面； 所述测温元件1-2安装于丰字型沟槽1-1-1内部。
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