信越化学工业株式会社久保田芳宏获国家专利权
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龙图腾网获悉信越化学工业株式会社申请的专利III族化合物基板的制造方法和利用该制造方法制造的基板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114144864B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080053287.8，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权III族化合物基板的制造方法和利用该制造方法制造的基板是由久保田芳宏;永田和寿设计研发完成，并于2020-06-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本III族化合物基板的制造方法和利用该制造方法制造的基板在说明书摘要公布了：本发明的III族化合物基板的制造方法包括以下工序：基底基板形成工序，通过气相合成法形成III族氮化物的基底基板；种基板形成工序，在基底基板上形成种基板；以及III族化合物晶体形成工序，通过氢化物气相生长法在种基板上形成III族化合物晶体。本发明的III族化合物基板的特征在于：其是通过本发明的III族化合物基板的制造方法制造的。根据本发明，在发挥氢化物气相生长法的特长、即高成膜速度的特长的同时，以低成本得到更大型且高品质的III族化合物基板。
本发明授权III族化合物基板的制造方法和利用该制造方法制造的基板在权利要求书中公布了：1.III族化合物基板的制造方法，该制造方法包括以下工序： 基底基板形成工序，通过气相合成法形成III族氮化物的基底基板； 种基板形成工序，在上述基底基板上形成种基板；以及 III族化合物晶体形成工序，通过氢化物气相生长法在上述种基板上形成III族化合物晶体，其中，上述基底基板是下述的基板： 将通过氢化物气相生长法得到的III族氮化物的粉末成型以制作成型体，利用浸渍法使上述成型体含有III族金属，之后对上述成型体进行烧结而得到的基板； 将通过氢化物气相生长法得到的III族氮化物的粉末成型以制作成型体，利用浸渍法使上述成型体含有还原时成为III族金属的III族化合物，之后对上述成型体进行氮化和烧结而得到的基板；或者， 在通过氢化物气相生长法得到的III族氮化物的粉末中添加混合III族金属以制作混合物，将上述混合物成型以制作成型体，之后对上述成型体进行氮化和烧结而得到的基板。
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