ASM IP 控股有限公司T·E·布隆伯格获国家专利权
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龙图腾网获悉ASM IP 控股有限公司申请的专利用于半导体处理系统的喷淋头装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112242324B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010691019.0，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权用于半导体处理系统的喷淋头装置是由T·E·布隆伯格;V·沙尔玛设计研发完成，并于2020-07-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于半导体处理系统的喷淋头装置在说明书摘要公布了：为了在整个晶片上形成副产物的恒定分压以及气体分子的恒定停留时间，可以使用双喷淋头反应器。双喷淋头结构可以针对蚀刻剂以及所述副产物实现空间上均匀的分压、停留时间和温度，由此在整个所述晶片上产生均匀蚀刻速率。系统可以包含对所述反应器进行差动泵送。
本发明授权用于半导体处理系统的喷淋头装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体处理设备，包括： 反应室和反应室排气口，所述反应室排气口被配置成从所述反应室去除蒸气； 喷淋头装置，其连接到所述反应室并且被配置成将反应物蒸气输送到所述反应室，所述喷淋头装置包括： 气体进口，其被配置成将所述反应物蒸气供应到所述喷淋头装置中； 第一喷淋头板，其与所述气体进口流体连通，所述第一喷淋头板包括多个开口； 设置在所述气体进口和所述第一喷淋头板之间的气室，所述气室被配置为将蒸汽从所述气体进口传送到所述多个开口；以及 第二喷淋头板，包括： 多个进气口，其与所述多个开口流体连通，所述多个进气口被配置成将所述反应物蒸气输送到所述反应室；以及 多个出气孔，其被配置成从所述反应室去除蒸气；以及 一个或多个泵，其连接到所述反应室排气口和所述多个出气孔，所述一个或多个泵被配置成通过所述反应室排气口和所述多个出气孔从所述反应室去除蒸气； 其中所述第一喷淋头板和所述第二喷淋头板协作以限定与所述多个出气孔和所述一个或多个泵流体连通的通道； 其中所述喷淋头装置包括通过所述气室分开的上部部分和下部部分，所述上部部分包括第二多个开口并且所述下部部分包括所述第一喷淋头板和所述第二喷淋头板， 其中所述多个出气孔沿着所述第二喷淋头板上的形成同心环的所述通道定位。
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