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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利包括厚金属层的半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112599488B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010704750.2，技术领域涉及：H01L23/498；该发明授权包括厚金属层的半导体器件是由李周益;慎重垣;张志熏;韩正勋;李俊雨设计研发完成，并于2020-07-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本包括厚金属层的半导体器件在说明书摘要公布了：提供了一种半导体器件,所述半导体器件包括设置在层间绝缘层中并且设置在基底上的多个中间互连件和多个中间插塞。上绝缘层设置在层间绝缘层上。第一上插塞、第一上互连件、第二上插塞和第二上互连件设置在上绝缘层中。所述多个中间互连件中的每个具有第一厚度。第一上互连件具有大于第一厚度的第二厚度。第二上互连件具有大于第一厚度的第三厚度。第三厚度是第一厚度的2倍至100倍。第二上互连件包括与第二上插塞的材料不同的材料。

本发明授权包括厚金属层的半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，所述半导体器件包括： 层间绝缘层，设置在基底上； 多个中间互连件，设置在层间绝缘层中； 多个中间插塞，设置在层间绝缘层中并且设置在所述多个中间互连件之间； 上绝缘层，设置在层间绝缘层上； 第一上插塞，设置在上绝缘层中并且连接到所述多个中间互连件中的一个中间互连件，所述一个中间互连件具有第一厚度； 第一上互连件，在第一上插塞上设置在上绝缘层中并且具有第二厚度，其中，第二厚度大于第一厚度； 第二上插塞，在第一上互连件上设置在上绝缘层中； 第二上互连件，在第二上插塞上设置在上绝缘层中并且具有第三厚度，其中，第三厚度大于第一厚度； 开口，被构造为穿过上绝缘层以使第二上互连件的部分暴露；以及 凸块，设置在上绝缘层上、延伸到开口中并且接触第二上互连件， 其中，第二上互连件的上表面包括第一部分和第二部分，第一部分被上绝缘层覆盖，第二部分被开口暴露， 其中，上绝缘层包括顺序地设置在第一上互连件与第二上互连件之间的第一上绝缘层、第二上绝缘层和第三上绝缘层， 其中，第一上绝缘层接触第一上互连件的上表面，第三上绝缘层接触第二上互连件的下表面， 其中，第三厚度在第一厚度的2倍至100倍的范围内，并且 其中，第二上互连件包括与第二上插塞的材料不同的材料。

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