中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司陈卓凡获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114203696B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010988492.5，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权半导体结构及半导体结构的形成方法是由陈卓凡设计研发完成，并于2020-09-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及半导体结构的形成方法，结构包括：衬底；位于衬底上若干平行排列的栅极结构；位于各栅极结构两侧衬底内的源漏掺杂区；位于栅极结构部分侧壁的侧墙结构，所述侧墙结构的顶部表面低于所述栅极结构的顶部表面；位于所述源漏掺杂区上的导电层，所述导电层与栅极结构之间由侧墙结构隔离；位于导电层上和侧墙结构上的阻挡层。所述半导体结构中的阻挡层和侧墙结构能够共同保护所述导电层的顶部表面和侧壁表面，减少所述导电层受到损伤。
本发明授权半导体结构及半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底； 位于衬底上若干平行排列的栅极结构； 位于各栅极结构两侧衬底内的源漏掺杂区； 位于栅极结构部分侧壁的侧墙结构，所述侧墙结构的顶部表面低于所述栅极结构的顶部表面； 位于所述源漏掺杂区上的导电层，所述导电层的顶部表面低于所述栅极结构的顶部表面，所述导电层与栅极结构之间由侧墙结构隔离； 位于导电层上和侧墙结构上的阻挡层，所述阻挡层的顶部表面低于或齐平于所述栅极结构顶部表面； 位于部分栅极结构内的隔离结构，所述隔离结构位于部分所述侧墙结构侧壁和阻挡层侧壁。
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