赛奥科思有限公司;住友化学株式会社今野泰一郎获国家专利权
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龙图腾网获悉赛奥科思有限公司;住友化学株式会社申请的专利氮化物半导体层叠结构、氮化物半导体发光元件及氮化物半导体层叠结构的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112635297B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011002525.0，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权氮化物半导体层叠结构、氮化物半导体发光元件及氮化物半导体层叠结构的制造方法是由今野泰一郎;木村健司;藤仓序章设计研发完成，并于2020-09-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本氮化物半导体层叠结构、氮化物半导体发光元件及氮化物半导体层叠结构的制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及氮化物半导体层叠结构、氮化物半导体发光元件及氮化物半导体层叠结构的制造方法。提供能够实现形变小、适于制造紫外LED的AlN模板的技术。一种氮化物半导体层叠结构，其至少具有：蓝宝石基板、在蓝宝石基板的主面上形成的第一AlN层、以及在第一AlN层上形成的第二AlN层，第二AlN层的a轴方向的形变量ε2的绝对值小于第一AlN层的a轴方向的形变量ε1的绝对值。
本发明授权氮化物半导体层叠结构、氮化物半导体发光元件及氮化物半导体层叠结构的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种氮化物半导体层叠结构，其至少具有： 蓝宝石基板、 在所述蓝宝石基板的主面上形成的第一AlN层、以及 在所述第一AlN层上形成的第二AlN层， 所述第二AlN层的a轴方向的形变量ε2为-0.15％以上且0.1％以下，所述第一AlN层的a轴方向的形变量ε1为-0.6％以上且-0.2％以下。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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