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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(天津)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114256072B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011023282.9，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体结构及其形成方法是由张全良;刘丽丽设计研发完成，并于2020-09-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体结构及其形成方法。所述形成方法包括：提供衬底，衬底包括漂移区以及位于漂移区中的第一隔离结构和第二隔离结构；在第一隔离结构和第二隔离结构之间的部分漂移区表面形成栅极结构；在栅极结构与第一隔离结构之间的漂移区中形成第一体区，在栅极结构与第二隔离结构之间的漂移区中形成第二体区，第一体区和第二体区均延伸至栅极结构下部；分别在栅极结构两侧的第一体区、第二体区中形成第一源区、第二源区；以及，在漂移区中形成第一漏极和第二漏极，其中，第一隔离结构分隔第一漏极和第一源极，第二隔离结构分隔第二漏极和第二源极。本申请技术方案的半导体结构及其形成方法能够优化器件性能。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底包括漂移区以及位于所述漂移区中的第一隔离结构和第二隔离结构； 在所述第一隔离结构和所述第二隔离结构之间的部分漂移区表面形成栅极结构； 采用离子注入工艺在所述栅极结构与所述第一隔离结构之间的漂移区中形成第一体区，在所述栅极结构与所述第二隔离结构之间的漂移区中形成第二体区，所述第一体区和所述第二体区均延伸至所述栅极结构下部，包括：在所述衬底以及栅极结构表面形成图案化的光刻胶层，所述图案化的光刻胶层暴露所述栅极结构与所述第一隔离结构、所述第二隔离结构之间的部分漂移区表面且完全覆盖所述栅极结构的侧壁；以所述图案化的光刻胶层为掩膜，进行第一离子注入，形成第一离子注入区；修整所述图案化的光刻胶层，使所述图案化的光刻胶层仅覆盖所述栅极结构的部分表面；以所述图案化的光刻胶层为掩膜，进行第二离子注入，形成第二离子注入区，所述第二离子注入区的深度小于所述第一离子注入区；热处理，使所述第一体区和所述第二体区延伸至所述栅极结构下部； 分别在所述栅极结构两侧的第一体区、第二体区中形成第一源区、第二源区；以及， 在所述漂移区中形成第一漏区和第二漏区，其中，所述第一隔离结构分隔所述第一漏区和所述第一源区，所述第二隔离结构分隔所述第二漏区和所述第二源区。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(天津)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，其通讯地址为：300385 天津市西青区兴华道19号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。