苏州洛合镭信光电科技有限公司;中兴光电子技术有限公司李玮淳获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州洛合镭信光电科技有限公司;中兴光电子技术有限公司申请的专利半导体光源及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114512896B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011148457.9，技术领域涉及：H01S5/20；该发明授权半导体光源及制备方法是由李玮淳设计研发完成，并于2020-10-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体光源及制备方法在说明书摘要公布了：本发明实施例公开了一种半导体光源及制备方法，其中，半导体光源的制备方法包括以下步骤：在衬底的第一表面形成包括沿光传输方向依次划分的有源区和无源区的外延层；在所述有源区制作单波导；在所述无源区制作多波导，所述单波导的出射端与所述多波导的入射端连接。通过该方法，在光的传输方向设置外延层，并将其划分成有源区和无源区，然后在有源区设置单波导结构、无源区设置多波导结构和将单波导结构的出射端与多波导结构的入射端连接，使得光束由单波导结构缓变为多波导结构，获得扩大的近场模斑，实现边发射芯片以小发散角输出，从而获得较高的光耦合效率。
本发明授权半导体光源及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体光源，其特征在于，包括衬底以及设置在所述衬底的第一表面的外延层，所述外延层包括沿光传输方向依次划分的有源区和无源区，其中： 所述有源区设置有单波导，所述外延层包括激光器，所述激光器包括沿外延生长方向依次设置的第一量子阱层、光栅层和第一波导层，所述第一量子阱层、所述光栅层和所述第一波导层位于所述有源区，所述单波导包括设置在所述第一波导层的第一单波导，所述单波导表征在与所述激光器出光面垂直的同一水平面上、沿光传输方向唯一设置的波导； 所述无源区设置有多波导，所述无源区包括具有所述多波导的波导层，所述多波导包括在与所述激光器出光面垂直的同一水平面上、沿光传输方向设置的多条波导； 所述单波导的出射端与所述多波导的入射端连接。
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