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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114446788B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011190865.0，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体结构的形成方法是由姜春磊;李敏;林先军设计研发完成，并于2020-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，包括：对所述第一介质材料层进行第一平坦化处理，直至暴露出所述硬掩膜层顶部表面，形成初始层间介质层，所述初始层间介质层表面最低处高于或齐平于所述第一伪栅极顶部表面和所述第二伪栅极顶部表面；去除所述硬掩膜层后，刻蚀所述初始层间介质层，直至去除所述第一区上高于所述第一伪栅极顶部表面的初始层间介质层，形成过渡层间介质层；在所述第一伪栅极、所述第二伪栅极和所述过渡层间介质层顶部表面形成第二介质材料层；采用第二平坦化处理所述第二介质材料层和所述过渡层间介质层，直到暴露出所述第一伪栅极、所述第二伪栅极顶部表面，最终形成具有平坦表面的层间介质层，提高了器件的性能。

本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底包括第一区和第二区； 在所述第一区上形成多个第一伪栅极，在所述第二区上形成多个第二伪栅极，相邻的所述第一伪栅极之间的距离小于相邻的所述第二伪栅极之间的距离，所述第一伪栅极顶部表面和所述第二伪栅极顶部表面均具有硬掩膜层； 在所述衬底表面形成第一介质材料层，所述第一介质材料层位于所述第一伪栅极侧壁、所述第二伪栅极侧壁、所述硬掩膜层侧壁和顶部表面； 对所述第一介质材料层进行第一平坦化处理，直至暴露出所述硬掩膜层顶部表面，形成初始层间介质层，所述初始层间介质层表面最低处高于或齐平于所述第一伪栅极顶部表面和所述第二伪栅极顶部表面； 形成所述初始层间介质层后，去除所述硬掩膜层； 去除所述硬掩膜层后，刻蚀所述初始层间介质层，直至去除所述第一区上高于所述第一伪栅极顶部表面的初始层间介质层，形成过渡层间介质层，所述刻蚀所述初始层间介质层的工艺包括干法刻蚀工艺和湿法刻蚀工艺中的一者或两者的结合； 在形成所述过渡层间介质层后，在所述第一伪栅极、所述第二伪栅极和所述过渡层间介质层顶部表面形成第二介质材料层； 采用第二平坦化处理所述第二介质材料层和所述过渡层间介质层，直到暴露出所述第一伪栅极、所述第二伪栅极顶部表面。

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