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龙图腾网获悉光子科学研究所基金会;卡塔拉纳调查及高级研究学院申请的专利电光调制器及用于获得电光调制器的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112925123B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011430192.1，技术领域涉及：G02F1/035；该发明授权电光调制器及用于获得电光调制器的方法是由弗兰克·科彭斯;贝尔纳特·特吕斯;希泰什·阿加瓦尔设计研发完成，并于2020-12-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本电光调制器及用于获得电光调制器的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种电光调制器，特别是一种双层石墨烯调制器，具有优化布置以对行进通过该调制器的光波导W的光提供大光带宽和高光传输，其中，顶部石墨烯片材Gu和底部石墨烯片材Gb中的至少一者沿X方向：在光波导W的宽度的一部分上延伸，其中，所述部分的范围为光波导W的宽度的50％至100％；或者完全在光波导W的整个宽度上延伸，且延伸超出相应的另外突出部分，该另外突出部分沿X方向的长度最多为光波导W宽度的25％。本发明还涉及一种用于获得本发明的电光调制器的方法。

本发明授权电光调制器及用于获得电光调制器的方法在权利要求书中公布了：1.一种电光调制器，所述电光调制器包括： -半导体基板S； -沿X方向彼此间隔开的至少第一电极E1和第二电极E2； -嵌入在所述半导体基板S内和或布置在所述半导体基板上的光波导W，所述光波导W的上部面被定位为沿所述X方向在所述第一电极E1和第二电极E2之间的一位置处、下方或上方，其中，所述光波导W沿至少横向于所述X方向的方向纵向地延伸； -布置在所述半导体基板S的上部面的至少一部分上方并沿所述X方向延伸的底部石墨烯片材Gb，其中，所述底部石墨烯片材的第一端部与所述第一电极E1电连接，并且所述底部石墨烯片材Gb没有触到所述第二电极E2； -在所述底部石墨烯片材Gb上方延伸的第一介电材料的片材DS； -布置在所述第一介电材料的片材DS的至少一部分上方并沿所述X方向延伸的顶部石墨烯片材Gu，其中，所述顶部石墨烯片材的第一端部与所述第二电极E2电连接，并且所述顶部石墨烯片材Gu没有触到所述第一电极E1；以及 -第二介电材料，所述第二介电材料是具有至少与所述第一介电材料的介电特性不同的介电特性的二维材料， 其特征在于，所述第二介电材料覆盖所述顶部石墨烯片材Gu的上部面和底部面和或覆盖所述底部石墨烯片材Gb的上部面和底部面两者；以及 所述顶部石墨烯片材Gu和底部石墨烯片材Gb中的至少一者沿所述X方向： -在所述光波导W的宽度的一部分上延伸，其中，所述部分的范围为所述光波导W的宽度的50％至100％；或者 -完全在所述光波导W的整个宽度上延伸，且延伸超出其沿所述X方向的长度最多为所述光波导W宽度的25％的相应的另外突出部分。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人光子科学研究所基金会;卡塔拉纳调查及高级研究学院，其通讯地址为：西班牙巴塞罗那；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。