日立金属株式会社小川雄一获国家专利权
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龙图腾网获悉日立金属株式会社申请的专利软磁性合金、软磁性合金薄带及其制造方法、磁芯以及部件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113053611B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011541299.3，技术领域涉及：H01F1/153；该发明授权软磁性合金、软磁性合金薄带及其制造方法、磁芯以及部件是由小川雄一;伊藤直辉;白武隆弘;太田元基设计研发完成，并于2020-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本软磁性合金、软磁性合金薄带及其制造方法、磁芯以及部件在说明书摘要公布了：本发明提供饱和磁通密度高、铁损低的软磁性合金、由该合金构成的软磁性合金薄带及其制造方法、使用该软磁性合金薄带的磁芯以及部件。本发明的软磁性合金由组成式FeaSibBcCudMe表示，M为选自Nb、Mo、V、Zr、Hf、W中的至少1种元素，按原子％计，82.5≦a≦86、0.3≦b≦3、12.5≦c≦15.0、0.05≦d≦0.9、0≦e＜0.4，所述软磁性合金具有粒径60nm以下的晶粒存在于非晶相中的组织。
本发明授权软磁性合金、软磁性合金薄带及其制造方法、磁芯以及部件在权利要求书中公布了：1.一种软磁性合金薄带，其合金组成由组成式FeaSibBcCudMe表示，M为选自Nb、Mo、V、Zr、Hf、W中的至少1种元素，按原子％计，82.5≦a≦86、0.3≦b≦3、12.5≦c≦15.0、0.05≦d≦0.9、0≦e＜0.4， 所述软磁性合金薄带具有粒径60nm以下的晶粒存在于非晶相中的组织，饱和磁通密度为1.75T以上，1kHz、1T时的铁损为25Wkg以下， 所述粒径60nm以下的晶粒的体积率为50％以上，占积率为86％以上。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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