台湾积体电路制造股份有限公司叶书伸获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113594045B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110259187.7，技术领域涉及：H01L21/48；该发明授权半导体结构及其形成方法是由叶书伸;杨哲嘉;许佳桂;林柏尧;郑心圃;林嘉祥设计研发完成，并于2021-03-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：方法包括形成第一介电层，形成第一再分布线，第一再分布线包括延伸至第一介电层中的第一通孔和位于第一介电层上方的第一迹线，形成覆盖第一再分布线的第二介电层，以及图案化第二介电层以形成通孔开口。第一再分布线通过通孔开口露出。方法还包括将导电材料沉积至通孔开口中以在第二介电层中形成第二通孔，以及在第二通孔上方并接触第二通孔的导电焊盘，以及在导电焊盘上方形成导电凸块。导电焊盘大于导电凸块，并且第二通孔从导电凸块的中心线偏离。本申请的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种形成半导体结构的方法，包括： 形成第一介电层； 形成第一再分布线，所述第一再分布线包括延伸至所述第一介电层中的第一通孔和位于所述第一介电层上方的第一迹线； 形成覆盖所述第一再分布线的第二介电层； 图案化所述第二介电层以形成通孔开口，其中，所述第一再分布线通过所述通孔开口露出； 将导电材料沉积至所述通孔开口中，以在所述第二介电层中形成第二通孔以及位于所述第二通孔上方并接触所述第二通孔的导电焊盘；以及 在所述导电焊盘上方形成导电凸块，其中，所述导电焊盘大于所述导电凸块，并且所述第二通孔从所述导电凸块的中心线偏离， 其中，所述第一通孔从所述导电凸块的中心线偏离，并且所述第一通孔和所述第二通孔在所述导电凸块的中心线的相对侧，并且所述第一通孔和所述第二通孔均部分地设置在所述导电凸块的横向范围内并且完全地设置在所述导电焊盘的横向范围内。
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