波主有限公司安相贞获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉波主有限公司申请的专利半导体发光器件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115336014B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180024617.5，技术领域涉及：H10H20/816；该发明授权半导体发光器件的制造方法是由安相贞设计研发完成，并于2021-03-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体发光器件的制造方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种半导体发光器件的制造方法METHODOFMANUFACTURINGSEMICONDUCTORLIGHTEMITTINGDEVICE，其为通过非引线键合制造半导体发光器件的方法，上述方法包括如下步骤：准备半导体发光二极管及支撑基板；在第二电通路暴露的状态下，将半导体发光二极管附着于支撑基板，使得覆盖整个第二半导体区域的导电接合构件毫无缝隙地与接合层相接合；去除基板；以及通过电连接，使第一半导体区域及第二半导体区域中的剩余一个与第二电通路通过沉积电性连接。
本发明授权半导体发光器件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体发光器件的制造方法，其为通过非引线键合制造半导体发光器件的方法，其特征在于，包括如下步骤： 准备半导体发光二极管及支撑基板，其中，所述半导体发光二极管从晶片状态个别化，配置有基板、多个半导体区域、与第一半导体区域及第二半导体区域中的一个电性连接且遍及整个第二半导体区域形成的导电接合构件，所述多个半导体区域包括具有第一导电性的第一半导体区域、通过电子与空穴的复合产生光的有源区域以及具有与第一导电性不同的第二导电性的第二半导体区域；所述支撑基板配置有上表面及下表面、从上表面连接到下表面侧的第一电通路和第二电通路以及在上表面通过覆盖第一电通路来电性连接的接合层； 以覆盖整个第二半导体区域的导电接合构件毫无缝隙地与接合层相接合的方式，在导电接合构件与接合层相接合之前第二电通路为暴露的状态下，将半导体发光二极管附着于支撑基板； 去除基板；以及 通过电连接，使第一半导体区域及第二半导体区域中的剩余一个与第二电通路通过沉积电性连接。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人波主有限公司，其通讯地址为：韩国京畿道水原市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号