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龙图腾网获悉铠侠股份有限公司申请的专利半导体存储装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114639428B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110766118.5，技术领域涉及：G11C16/34；该发明授权半导体存储装置是由加藤光司设计研发完成，并于2021-07-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体存储装置在说明书摘要公布了：本发明的一实施方式提供一种能抑制写入速度的降低且能提高数据的可靠性的半导体存储装置。一实施方式的半导体存储装置包含多个存储单元晶体管、字线、多个位线、控制器。字线连接于多个存储单元晶体管。多个位线分别连接于多个存储单元晶体管。控制器执行写入动作，该写入动作反复执行包含编程动作与验证动作的编程循环。控制器在第1数据的验证动作中，对字线施加第1数据的验证高电压的期间，判定供写入第1数据的存储单元晶体管是否超过第1数据的验证高电压，且判定供写入第2数据的存储单元晶体管是否超过第2数据的验证低电压。

本发明授权半导体存储装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储装置，包含： 多个存储单元晶体管，各自能根据阈值电压属于多个状态中的哪一个状态而存储多比特数据，在阈值电压属于第1状态的情况下，存储第1数据，在阈值电压属于比所述第1状态高的第2状态的情况下，存储第2数据； 字线，连接于所述多个存储单元晶体管； 多个位线，分别连接于所述多个存储单元晶体管；及 控制器，能执行包含编程循环的反复的写入动作，该编程循环包含编程动作与验证动作；且 所述多个状态中每一个状态均设定了验证低电压与验证高电压， 作为所述控制器， 在所述编程动作中，对所述字线施加编程电压的期间，对与第1编程对象的存储单元晶体管连接的位线施加第1电压，对与第2编程对象的存储单元晶体管连接的位线施加高于所述第1电压的第2电压，对与编程禁止的存储单元晶体管连接的位线施加高于所述第2电压的第3电压； 在所述验证动作中，对写入目的地的每个状态，均将经判定阈值电压为验证低电压以下的存储单元晶体管设定为所述第1编程对象，将经判定阈值电压超过验证低电压且为验证高电压以下的存储单元晶体管设定为所述第2编程对象，将经判定阈值电压超过验证高电压的存储单元晶体管设定为所述编程禁止； 在所述第1数据的验证动作中，对所述字线施加所述第1数据的验证高电压的期间，判定供写入所述第1数据的存储单元晶体管是否超过所述第1数据的验证高电压，且判定供写入所述第2数据的存储单元晶体管是否超过所述第2数据的验证低电压。

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