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龙图腾网获悉苏州纳维科技有限公司申请的专利氢化物气相外延法生长III-V族化合物单晶的方法及设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115679441B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110862495.9，技术领域涉及：C30B25/02；该发明授权氢化物气相外延法生长III-V族化合物单晶的方法及设备是由蔡德敏;徐琳;张波;沈振华设计研发完成，并于2021-07-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本氢化物气相外延法生长III-V族化合物单晶的方法及设备在说明书摘要公布了：本发明公开了一种氢化物气相外延法生长III‑V族化合物单晶的方法及设备。所述方法包括：将III元素源、氮源与载气输入HVPE反应腔室内，并依次经过所述反应腔室内的第一区域、第二区域、第三区域，分别将所述反应腔室第一区域、第二区域和第三区域的调节至第一温度、第二温度和第三温度，使所述III元素源与氮源于所述第一区域发生反应而形成III氮化物单晶，使III元素源与氢气于第二区域发生反应而形成III元素单质，使氮源与卤素氢化物于第三区域发生反应而形成铵盐。本发明实施例提供的一种氢化物气相外延法生长III族氮化物单晶的方法，提高了III族氮化物单晶的产量和纯度，并能回收III族元素单质，降低了III族氮化物单晶的制备成本。

本发明授权氢化物气相外延法生长III-V族化合物单晶的方法及设备在权利要求书中公布了：1.一种氢化物气相外延法生长III-V族化合物单晶的方法，其特征在于包括：将第一源物质和第二源物质输入反应腔室，所述第一源物质包含III族元素，所述第二源物质包含V族元素，通过将反应腔室内第一区域、第二区域、第三区域分别设置为不同温度，使第一源物质与第二源物质在反应腔室的第一区域进行反应生成III-V族化合物单晶及第一副产物，并使至少部分的第一副产物与未反应的第一源物质在第二区域进行反应生成可回收的III族元素单质和第二副产物，以及使至少部分的第一副产物和或至少部分的第二副产物与未反应的第二源物质在第三区域进行反应生成可回收产物，其中，所述第一区域包括III-V族化合物单晶生长区和沿径向包围III-V族化合物单晶生长区的周边区，所述III-V族化合物单晶生长区被设置为适合生成III-V族化合物单晶的温度，所述周边区的温度高于III-V族化合物单晶生长区的温度，所述第二区域的温度被设置为高于所述可回收产物的形成温度且低于第一源物质的分解温度，所述第三区域的温度被设置为不高于所述可回收产物的分解温度。

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