格芯(美国)集成电路科技有限公司R·J·小戈捷获国家专利权
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龙图腾网获悉格芯(美国)集成电路科技有限公司申请的专利在半导体阱上具有到掺杂半导体的雪崩结的集成电路结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114068519B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110879804.3，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权在半导体阱上具有到掺杂半导体的雪崩结的集成电路结构是由R·J·小戈捷;A·F·卢瓦索;S·米特拉;蔡东辰;M·苗;李由设计研发完成，并于2021-08-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本在半导体阱上具有到掺杂半导体的雪崩结的集成电路结构在说明书摘要公布了：本发明涉及在半导体阱上具有到掺杂半导体的雪崩结的集成电路结构。本公开的实施例提供了一种集成电路IC结构，其包括位于半导体衬底中的掺杂阱，以及位于掺杂阱中的基极区、发射极区和集电极区。绝缘材料位于掺杂阱内，其具有水平地邻近集电极区的第一端以及与第一端相对的第二端。掺杂半导体区位于掺杂阱内并邻近绝缘材料的第二端。掺杂半导体区被定位成跨掺杂阱在集电极区与掺杂半导体区之间限定雪崩结。
本发明授权在半导体阱上具有到掺杂半导体的雪崩结的集成电路结构在权利要求书中公布了：1.一种集成电路IC结构，包括： 位于半导体衬底中的掺杂阱，所述掺杂阱具有第一掺杂类型； 位于所述掺杂阱内并具有所述第一掺杂类型的基极区； 位于所述掺杂阱内并具有与所述第一掺杂类型相反的第二掺杂类型的发射极区； 位于所述掺杂阱内并水平地在所述基极区与所述发射极区之间的第一绝缘体； 位于所述掺杂阱内并具有所述第二掺杂类型的集电极区； 位于所述掺杂阱内并水平地在所述集电极区与所述发射极区之间的第二绝缘体； 位于所述掺杂阱内的绝缘材料，所述绝缘材料具有水平地邻近所述集电极区的第一端和与所述第一端相对的第二端；以及 掺杂半导体区，其位于所述掺杂阱内并邻近所述绝缘材料的所述第二端，其中所述掺杂半导体区具有所述第一掺杂类型，使得跨所述掺杂阱在所述集电极区与所述掺杂半导体区之间限定雪崩结。
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