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龙图腾网获悉株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社申请的专利半导体装置及半导体装置的控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115207112B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111008803.8，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权半导体装置及半导体装置的控制方法是由岩鍜治阳子;末代知子;系数裕子;河村圭子设计研发完成，并于2021-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置及半导体装置的控制方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体装置及其控制方法。半导体装置具有第一电极、第二电极、第一至第五半导体区域、第一及第二栅极电极。第一半导体区域设置于第一电极与第二电极之间。第二半导体区域设置于第一半导体区域与第二电极之间。第三半导体区域设置于第一半导体区域与第一电极之间。第一栅极电极隔着第一绝缘膜与第二半导体区域对置。第二栅极电极隔着第二绝缘膜与第二半导体区域对置，且隔着与第二绝缘膜接触的第三绝缘膜而与第二电极对置。第五半导体区域设置于第二半导体区域与第二电极之间，且隔着第二或第三绝缘膜与第二栅极电极相邻，并且具有与第二电极电接触的边界部。第四半导体区域的上表面与第一电极的距离大于边界部与第一电极的距离。

本发明授权半导体装置及半导体装置的控制方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，具有： 第一电极； 第二电极，在第一方向上与所述第一电极分离地设置； 第一导电型的第一半导体区域，在所述第一方向上设置于所述第一电极与所述第二电极之间； 第二导电型的第二半导体区域，设置于所述第一半导体区域与所述第二电极之间； 第二导电型的第三半导体区域，设置于所述第一半导体区域与所述第一电极之间，与所述第一电极电连接； 多个第一栅极电极，在与所述第一方向相交的第二方向上，隔着第一绝缘膜而与所述第二半导体区域对置，并且隔着与所述第一绝缘膜接触的第三绝缘膜而与所述第二电极对置； 多个第二栅极电极，在所述第二方向上隔着第二绝缘膜而与所述第二半导体区域对置，并且隔着与所述第二绝缘膜接触的所述第三绝缘膜而与所述第二电极对置，该多个第二栅极电极被施加与所述第一栅极电极不同的电压； 第一导电型的第四半导体区域，设置于所述第二半导体区域与所述第二电极之间，隔着所述第一绝缘膜或所述第三绝缘膜而与所述第一栅极电极相邻；以及 第二导电型的第五半导体区域，设置于所述第二半导体区域与所述第二电极之间，隔着所述第二绝缘膜或所述第三绝缘膜而与所述第二栅极电极相邻，并且具有与所述第二电极电接触的边界部， 所述第四半导体区域的上表面与所述第一电极之间的距离大于所述边界部与所述第一电极之间的距离。

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