北京鲁汶半导体科技有限公司韩大健获国家专利权
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龙图腾网获悉北京鲁汶半导体科技有限公司申请的专利一种等离子体刻蚀设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116013755B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111227060.3，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权一种等离子体刻蚀设备是由韩大健;李娜;彭泰彦;车东晨;许开东设计研发完成，并于2021-10-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种等离子体刻蚀设备在说明书摘要公布了：本发明公开一种等离子体刻蚀设备，其工艺腔室中包括电极底座、电极和内衬；该内衬的筒形侧部覆于所述工艺腔室的内侧壁面，且两者之间设置有绝缘套筒，该内衬的环形底部可与电极底座相接；环形底部的下表面具有内衬安装部，电极底座的上表面相应设置有可与内衬安装部适配的第一底座安装部和第二底座安装部，并配置为：内衬安装部与第一底座安装部适配时，环形底部的下表面与电极底座的上表面贴合；内衬安装部与第二底座安装部适配时，环形底部的下表面位于电极底座的上表面之间具有预定间距，且环形底部与电极之间设置有可拆卸连接的电性连接件。应用本方案，在确保晶圆刻蚀的均匀一致性及刻蚀速率的基础上，能够获得良好的清洗效果。
本发明授权一种等离子体刻蚀设备在权利要求书中公布了：1.一种等离子体刻蚀设备，包括工艺腔室，其特征在于，所述工艺腔室中包括： 电极底座； 电极，通过绝缘垫设置在所述电极底座上； 内衬，包括环形底部和自所述环形底部外沿向上延伸形成的筒形侧部，所述筒形侧部覆于所述工艺腔室的内侧壁面，且两者之间设置有绝缘套筒，所述环形底部可与电极底座相接；所述环形底部的下表面具有内衬安装部，所述电极底座的上表面相应设置有可与所述内衬安装部适配的第一底座安装部和第二底座安装部； 其中，所述内衬安装部与所述第一底座安装部适配时，配置为：所述环形底部的下表面与所述电极底座的上表面贴合； 其中，所述内衬安装部与所述第二底座安装部适配时，配置为：所述环形底部的下表面位于所述电极底座的上表面的上方，两者之间具有预定间距，且所述环形底部与所述电极之间设置有可拆卸连接的电性连接件。
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