买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉合肥工业大学申请的专利阵列型TiO2/CdS复合电子传输层的制备及其体相异质结太阳能电池应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114267792B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111579405.1，技术领域涉及：H10K30/85；该发明授权阵列型TiO2/CdS复合电子传输层的制备及其体相异质结太阳能电池应用是由周儒;李孝章;王长雪;陈骁;唐波;周佳程;周钧天设计研发完成，并于2021-12-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本阵列型TiO2/CdS复合电子传输层的制备及其体相异质结太阳能电池应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种阵列型TiO2CdS复合电子传输层的制备及其体相异质结太阳能电池应用，首先，采用旋涂工艺制备TiO2致密层；其次，在TiO2致密层基底上利用水热法制备CdS纳米棒，获得阵列型TiO2CdS复合纳米结构电子传输层，以设计体相异质结太阳能电池。本发明所制备复合纳米结构电子传输层中，TiO2致密层的沉积有利于CdS纳米棒在衬底上的竖直生长，获得高质量一维结构电子传输层；TiO2CdS复合电子传输层与太阳能电池吸收层材料形成理想的梯度能级排列，提高了界面处光生电子提取效率；CdS纳米棒竖直生长特征为载流子提供了更为高效的传输路径，有助于抑制器件内部的电荷复合。

本发明授权阵列型TiO2/CdS复合电子传输层的制备及其体相异质结太阳能电池应用在权利要求书中公布了：1.一种阵列型TiO2CdS复合电子传输层的制备方法，其特征在于： 在导电玻璃上旋涂制备TiO2致密层，并进一步利用水热法在TiO2基底上生长一维CdS纳米棒，进而获得TiO2CdS纳米棒复合电子传输层； 所述复合电子传输层中，TiO2致密层的厚度为20-30nm，CdS纳米棒的长度为100-500nm； 所述制备方法包括如下步骤： 步骤1：将清洗好的导电基底放入紫外臭氧清洗机中，臭氧处理15-25min； 步骤2：配制0.1-0.2molL双乙酰丙酮基二异丙基钛酸酯的正丁醇溶液，并在室温下搅拌1-2h，形成致密层前驱体溶液； 步骤3：取40-120μL的致密层前驱体溶液并滴加到导电基底上，并以转速500-1000rpm旋涂3-6s，再以2000-3000rpm的转速旋涂30-50s； 步骤4：旋涂结束后，将样品放到加热台上退火，最后放入马弗炉中，梯度升温至450-550℃，烧结30-60min，形成TiO2致密层； 步骤5：将CdNO32·4H2O，硫脲和谷胱甘肽依次加入去离子水中，并在室温下搅拌10-20min，获得混合溶液；所述混合溶液中CdNO32·4H2O的浓度为0.005-0.015M，硫脲的浓度为0.02-0.04M，谷胱甘肽的浓度为0.003-0.012M； 步骤6：将导电玻璃TiO2致密层导电面朝下浸入步骤5的混合溶液中，并转移至反应釜进行水热反应，水热反应的温度为180-220℃，反应时间为50-150min；反应结束后取出，用大量清水冲洗，放入干燥箱中烘干，获得淡黄色CdS薄膜，即为TiO2CdS纳米棒阵列复合纳米结构。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人合肥工业大学，其通讯地址为：230009 安徽省合肥市包河区屯溪路193号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。