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龙图腾网获悉西安微电子技术研究所申请的专利一种PROM程序存储区扩展EDAC校验电路及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114385410B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210033978.2，技术领域涉及：G06F11/10；该发明授权一种PROM程序存储区扩展EDAC校验电路及方法是由全勇涛;路海全;刘曙蓉;杨文清;贾可辉;贾森;刘秀娜;曲翕设计研发完成，并于2022-01-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种PROM程序存储区扩展EDAC校验电路及方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种PROM程序存储区扩展EDAC校验电路及方法，用于解决现有星载计算机PROM程序区单比特数据错误的问题，降低空间环境单粒子翻转的风险，提高产品的可靠性。包括集成有EDAC纠检错功能的处理器、SRAM数据存储区和PROM程序存储校验区；其中，SRAM数据存储区包括用于存储数据的第一SRAM和用于存储SRAM区EDAC码的第二SRAM，PROM程序存储校验区包括多片用于存储程序的PROM以及用于存储程序区EDAC校验码的PROM；处理器的数据总线接用于存储程序的PROM，处理器的EDAC总线接用于存储程序区EDAC校验码的PROM。

本发明授权一种PROM程序存储区扩展EDAC校验电路及方法在权利要求书中公布了：1.一种PROM程序存储区扩展EDAC校验电路，其特征在于，包括集成有EDAC纠检错功能的处理器（1）、SRAM数据存储区和PROM程序存储校验区； 其中，所述SRAM数据存储区包括用于存储数据的第一SRAM（3）和用于存储SRAM区EDAC码的第二SRAM（4），所述PROM程序存储校验区包括多片用于存储程序的PROM以及用于存储程序区EDAC校验码的PROM； 所述处理器（1）的地址总线A[2:20]通过驱动器（2）分别接第一SRAM（3）和第二SRAM（4）的地址线A[0:18]，所述处理器（1）的地址总线A[2:16]通过驱动器（2）分别接PROM存储器的地址线A[0:14]； 所述处理器（1）的数据总线接用于存储程序的PROM，所述处理器（1）的EDAC总线接用于存储程序区EDAC校验码的PROM； 所述用于存储程序的PROM包括第一PROM（5）、第二PROM（6）、第三PROM（7）和第四PROM（8），所述存储程序区EDAC校验码的PROM包括第五PROM（9）； 其中，所述第一PROM（5）的数据总线接所述处理器（1）的数据总线D[0:7]，第二PROM（6）的数据总线接所述处理器（1）的数据总线D[8:15]，第三PROM（7）的数据总线接所述处理器（1）的数据总线D[16:23]，第四PROM（8）的数据总线接所述处理器（1）的数据总线D[24:31]，第五PROM（9）的数据总线接所述处理器（1）的EDAC总线CB[0:7]。

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