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龙图腾网获悉西安理工大学申请的专利集成的电平检测芯片电路及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114578151B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210035915.0，技术领域涉及：G01R31/00；该发明授权集成的电平检测芯片电路及应用是由张鹤玖;吕楠;余宁梅;王曦;王欣设计研发完成，并于2022-01-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本集成的电平检测芯片电路及应用在说明书摘要公布了：本发明公开的集成的电平检测芯片电路及应用，通过将片外输入与参考电压比较获得选择信号，选择信号选择振荡电路输出方波传输，并经过缓冲器驱动片外显示模块，实现输入电平的检测，同时通过两位片外信号控制参考电压产生电路以实现不用应用环境下的使用，具有很高的集成度，用该电路芯片与简单外围器件搭建系统可以对不同电瓶电量状态的检测，可显著降低生产成本。

本发明授权集成的电平检测芯片电路及应用在权利要求书中公布了：1.集成的电平检测芯片电路，其特征在于，包括基准电压电流产生电路（1），基准电压电流产生电路（1）的输出端分别连接有参考电压产生电路（2）、振荡电路（3）和比较器组（4），参考电压产生电路（2）包括与基准电压电流产生电路（1）输出端相连的运放A1的负向输入端，运放A1的输出端连接有PMOS管M1的栅极，PMOS管M1的源极接电源，PMOS管M1的漏极接一个电阻，电阻经过四个并联开关串电阻接地，一个电阻与四个并联开关之间的节点接运放A1的正向输入端，PMOS管M1的漏极同时连接有运放A2的负向输入端，运放A2的输出端连接有PMOS管M2的栅极，PMOS管M2的源极接电源，PMOS管M2的漏极经过一个电阻与运放A2的正向输入端相连，运放A2的正向输入端通过一组电阻串接地，电阻串中两电阻之间的节点作为输出，参考电压产生电路（2）的输出端连接至比较器组（4），比较器组（4）包括均与基准电压电流产生电路（1）连接的多个迟滞比较器（5），每个迟滞比较器（5）的一个输入端与参考电压产生电路（2）输出的一组参考电压相连，每个迟滞比较器（5）的另一个输入端与检测电压输入端VIN相连，比较器组（4）的输出端与振荡电路（3）的输出端共同连接有输出选择驱动电路组（6），输出选择驱动电路组（6）包括与多个迟滞比较器（5）的输出端一一相连的多个与门（7），每个与门（7）的另一个输入端与振荡电路（3）的输出端相连，每个与门（7）的输出端连接有一缓冲器（8）。

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