苏州金宏气体股份有限公司高如天获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州金宏气体股份有限公司申请的专利一种基于氘气退火工艺的顶栅底接触器件及制造方法和有机场效应晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114744113B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210404875.2，技术领域涉及：H10K10/46；该发明授权一种基于氘气退火工艺的顶栅底接触器件及制造方法和有机场效应晶体管是由高如天;孙猛设计研发完成，并于2022-04-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于氘气退火工艺的顶栅底接触器件及制造方法和有机场效应晶体管在说明书摘要公布了：本发明公开了一种顶栅底接触器件结构，从上而下依次包括栅极层‑绝缘层‑半导体层‑源漏电极层和基底层，所述半导体层的材质为有机聚合物，所述有机聚合物的单体中碳碳双键的不饱和度≥8；所述绝缘层和所述半导体层为一体结构；所述半导体的表层经氘气退火工艺处理得到所述绝缘层。采用了本发明的技术方案，无需重新选择材料再单独制备绝缘层，而是通过氘气退火，利用氘气在半导体层表面进行加成反应，使表层的半导体层转化为绝缘材料，直接在半导体层的表层形成绝缘层，减少了绝缘层的加工工艺步骤，从根本上解决了绝缘材料和半导体材料选择的难题。
本发明授权一种基于氘气退火工艺的顶栅底接触器件及制造方法和有机场效应晶体管在权利要求书中公布了：1.一种基于氘气退火工艺的顶栅底接触器件结构，其特征在于，从上而下依次包括栅极层-绝缘层-半导体层-源漏电极层和基底层，所述绝缘层和所述半导体层为一体结构； 所述半导体层的材质为有机聚合物，所述有机聚合物的单体中碳碳双键的不饱和度≥8；所述半导体的表层经氘气退火工艺处理，所述有机聚合物与氘气加成转化得到所述绝缘层； 所述退火工艺中温度为200～600℃，保持10～30min； 所述有机聚合物的单体中含有碳碳双键的基团，包括乙烯基、苯乙烯基、芳香族基团中的一种或多种，碳碳双键形成共轭链结构； 所述有机聚合物的单体为结构式1：其中，R1、R2、R3、R4为氢或C1～C20的烷基；R5为乙烯基、噻吩基、联二噻吩基、并二噻吩基、并三噻吩基、苯基、苯乙烯基、并二苯基中的至少一种。
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