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龙图腾网获悉厦门乾照光电股份有限公司申请的专利一种mini-LED芯片及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114975715B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210620906.8，技术领域涉及：H10H20/831；该发明授权一种mini-LED芯片及制备方法是由刘伟;刘英策;邬新根;林锋杰;王锐;蔡建九;崔恒平设计研发完成，并于2022-06-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种mini-LED芯片及制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种mini‑LED芯片及制备方法，在该mini‑LED芯片中，复合透明导电层中的欧姆接触层降低了复合透明导电层的欧姆接触电阻，提升了与P型层的欧姆接触，第一透明导电层提升了电子浓度与电流扩展能力，第二透明导电层提升了导电膜穿透率，两个透明导电层进一步提升了电流传导能力以及抗ESD能力，纳米层提升了粘附性以及芯片的推力可靠性，该复合透明导电层提升了芯片的散热能力，降低了热效应的产生；此外增粘截止层提升了复合DBR反射层与复合透明导电层的粘附性、水汽隔绝层提升了防水汽侵蚀能力，并且采用间歇式离子镀膜，降低了复合DBR反射层的膜层应力，提高了芯片的可靠性。

本发明授权一种mini-LED芯片及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种mini-LED芯片，其特征在于，所述mini-LED芯片包括： 衬底； 位于所述衬底一侧的外延层；所述外延层包括在第一方向上依次堆叠设置的N型层、有源层以及P型层；所述外延层上有第一凹槽，所述第一凹槽暴露出部分N型层； 位于所述P型层背离所述衬底一侧的复合透明导电层，所述复合透明导电层包括在所述第一方向上依次堆叠设置的欧姆接触层、第一透明导电层、第二透明导电层以及纳米层； 所述第一方向垂直于所述衬底所在平面，且由所述衬底指向所述复合透明导电层； 位于所述复合透明导电层背离所述衬底一侧的增粘截止层，所述增粘截止层上包括第二凹槽，所述第二凹槽暴露出复合透明导电层，所述增粘截止层的材料为ZrO2材料或Y2O3材料或SiNx材料； 位于所述增粘截止层背离所述衬底一侧的复合DBR反射层；所述复合DBR反射层包括在所述第一方向上堆叠设置的刻蚀截止层以及第一叠层；所述第一叠层包括在所述第一方向上依次交替堆叠设置的SiO2层以及Ti3O5层； 焊盘，其中一个所述焊盘贯穿所述复合DBR反射层，在所述第一凹槽直接与N型层接触，另一个所述焊盘贯穿所述复合DBR反射层，在所述第二凹槽直接与复合透明导电层接触。

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