中国科学院物理研究所陈小龙获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院物理研究所申请的专利碳化硅单晶的生长方法、碳化硅单晶、坩埚和生长系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116288647B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211566479.6，技术领域涉及：C30B11/00；该发明授权碳化硅单晶的生长方法、碳化硅单晶、坩埚和生长系统是由陈小龙;王国宾;郭建刚;李辉;王文军;盛达设计研发完成，并于2022-12-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本碳化硅单晶的生长方法、碳化硅单晶、坩埚和生长系统在说明书摘要公布了：本发明提供了一种碳化硅单晶的生长方法、碳化硅单晶、坩埚和生长系统。生长方法包括：将碳化硅籽晶置于坩埚的底部；将原料块覆盖在碳化籽晶上；其中原料块包括硅元素和碳元素；将助熔剂装到原料块和坩埚内壁之间的区域；对坩埚进行加热，以使助熔剂熔化；向上提拉原料块，使熔化后的助熔剂流入碳化硅籽晶和原料块之间，且使原料块的底面与助熔剂接触；经第一预设时长后，向上提拉原料块，使其与熔化的助熔剂分离；将坩埚的温度降低至指定温度，得到基于碳化硅籽晶生长的碳化硅单晶。本发明不存在或可大大减小籽晶掉落的可能性，生长前SiC籽晶被上方的原料块覆盖，阻碍了助熔剂熔体挥发物在籽晶表面上的沉积，防止了生长初期产生的大量缺陷。
本发明授权碳化硅单晶的生长方法、碳化硅单晶、坩埚和生长系统在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅单晶的生长方法，其特征在于，包括： 将碳化硅籽晶置于坩埚的底部； 将原料块覆盖在所述碳化硅籽晶上；其中所述原料块包括硅元素和碳元素； 将助熔剂装到所述原料块和坩埚内壁之间的区域； 对所述坩埚进行加热，以使所述助熔剂熔化； 计算所述助熔剂熔化后的保温时长，当所述保温时长达到第二预设时长时，向上提拉所述原料块，使熔化后的所述助熔剂流入所述碳化硅籽晶和所述原料块之间，且使所述原料块的底面与所述助熔剂接触； 经第一预设时长后，向上提拉所述原料块，使其与熔化的所述助熔剂分离； 将所述坩埚的温度降低至指定温度，得到基于所述碳化硅籽晶生长的碳化硅单晶； 其中，在使所述原料块的底面与所述助熔剂接触之后，包括： 转动所述坩埚和或所述原料块；和或 使所述坩埚和或所述原料块上下移动，并使所述原料块的底面与所述助熔剂保持接触； 所述坩埚为耐助熔剂腐蚀的坩埚； 所述原料块的硅元素与碳元素的摩尔比为1:1。
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