湖南静芯微电子技术有限公司董鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉湖南静芯微电子技术有限公司申请的专利一种强鲁棒性非对称双向可控硅静电防护器件及制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115831960B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211588593.9，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权一种强鲁棒性非对称双向可控硅静电防护器件及制作方法是由董鹏;刘威;骆生辉;李幸;黄昭;李忠设计研发完成，并于2022-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种强鲁棒性非对称双向可控硅静电防护器件及制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种强鲁棒性非对称双向可控硅静电防护器件及制作方法，包括P型衬底、N型深阱、N型阱、P型阱等；第一N阱与第二P+注入区，第二N阱与第五P+注入区，通过高掺杂P+注入与N阱雪崩击穿来降低器件触发电压；第一P+注入区、第三N+注入区二个电极连接在一起作为器件的阴极；第一N+注入区、第三P+注入区、第二N+注入区、第四P+注入区四个电极连接在一起作为器件的阳极；该器件在降低器件触发电压的情况下，利用不同的静电放电ElectrostaticDischarge，ESD泄放路径实现IO端口双向防护，从而有效地保护传输正负电平的芯片IO信号端口；该器件具有低触发电压，高失效电流的特点，能够应用于IO端口的双向ESD防护。
本发明授权一种强鲁棒性非对称双向可控硅静电防护器件及制作方法在权利要求书中公布了：1.一种强鲁棒性非对称双向可控硅静电防护器件，其特征在于，包括P型衬底；所述P型衬底中设有N型深阱；所述N型深阱上方从左至右设有第一N阱、第一P阱、第二N阱、第二P阱；所述第一N阱内设有第一P+注入区；所述第一P阱内设有第一N+注入区、第三P+注入区；所述第二N阱内设有第二N+注入区、第四P+注入区；所述第二P阱内设有第三N+注入区；所述第一N阱和所述第一P阱之间设有第二P+注入区；所述第二N阱和所述第二P阱之间设有第五P+注入区；所述第一P+注入区、所述第三N+注入区二个电极连接在一起作为器件的阴极，所述第一N+注入区、所述第三P+注入区、所述第二N+注入区、所述第四P+注入区四个电极连接在一起作为器件的阳极。
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