杭州富芯半导体有限公司罗加聘获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州富芯半导体有限公司申请的专利功率器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115863251B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211728275.8，技术领域涉及：H01L21/762；该发明授权功率器件及其制备方法是由罗加聘;洪昊哲;沈宸棋设计研发完成，并于2022-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本功率器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种功率器件及其制备方法。制备方法包括步骤：提供硅基底，于硅基底内形成阱区、位于阱区内的漂移区和位于漂移区内的浅沟槽隔离结构，浅沟槽隔离结构和硅基底之间形成有衬垫隔离层，漂移区上定义有注入窗口，注入窗口与浅沟槽隔离结构相邻，注入窗口显露出硅基底；对漂移区的注入窗口进行离子注入，以于对应注入窗口的硅基底表面形成以非晶硅为主的破坏层；对对应破坏层的区域进行热氧化处理，以于注入窗口内形成高压栅氧层，高压栅氧层与浅沟槽隔离结构相邻接。本申请有助于避免器件局部击穿，可以提高器件的电性能。
本发明授权功率器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种功率器件的制备方法，其特征在于，包括步骤： 提供硅基底，于所述硅基底内形成阱区11、位于所述阱区11内的漂移区12和位于所述漂移区12内的浅沟槽隔离结构13，所述浅沟槽隔离结构13和硅基底之间形成有衬垫隔离层15，所述漂移区12上定义有注入窗口121，所述注入窗口121与所述浅沟槽隔离结构13相邻，所述注入窗口121显露出所述硅基底；对所述漂移区12的注入窗口121进行离子注入，以于对应所述注入窗口121的硅基底表面形成以非晶硅为主的破坏层122；其中，于所述浅沟槽隔离结构13的表面形成所述衬垫隔离层15的步骤包括：采用沉积工艺于所述浅沟槽隔离结构13的表面形成第一隔离层18；通过湿法刻蚀工艺去除所述第一隔离层18；采用沉积工艺于所述浅沟槽隔离结构13的表面形成所述衬垫隔离层15； 对对应所述破坏层122的区域进行热氧化处理，以于所述注入窗口121内形成高压栅氧层14，所述高压栅氧层14与所述浅沟槽隔离结构13相邻接。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人杭州富芯半导体有限公司，其通讯地址为：310000 浙江省杭州市滨江区西兴街道联慧街6号1-1301；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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