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龙图腾网获悉重庆大学申请的专利一种制备压电驱动MEMS电场传感器的工艺方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116040577B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310039782.9，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权一种制备压电驱动MEMS电场传感器的工艺方法是由杨庆;柯锟;廖伟;邱震辉设计研发完成，并于2023-01-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种制备压电驱动MEMS电场传感器的工艺方法在说明书摘要公布了：本发明实施例公开了一种制备压电驱动MEMS电场传感器的工艺方法，对SOI片双面热氧化；在SOI片正面的绝缘层上制备粘接层和下驱动电极层；在下驱动电极层上制备压电材料层；在压电材料层上制备上驱动电极层，并剥离上驱动电极层；刻蚀压电材料层；刻蚀下驱动电极层和粘接层；刻蚀SOI片正面的绝缘层；在SOI片正面的顶硅层上制备感应电极焊盘；刻蚀SOI片正面的顶硅层；在SOI片正面旋涂保护材料；去除SOI片背面的绝缘层，并刻蚀SOI片的底硅层和埋氧层；去除SOI片正面的保护材料，得到MEMS电场传感器。本发明制备工艺简单、成本低，利于大规模生产。

本发明授权一种制备压电驱动MEMS电场传感器的工艺方法在权利要求书中公布了：1.一种制备压电驱动MEMS电场传感器的工艺方法，其特征在于，所述方法包括： S1，对SOI片双面热氧化，在所述SOI片正面和背面分别形成一层SiO2的绝缘层； S2，在所述SOI片正面的所述绝缘层上制备粘接层和下驱动电极层； S3，在所述下驱动电极层上制备压电材料层； S4，在所述压电材料层上制备上驱动电极层，并采用1号光刻板剥离所述上驱动电极层； S5，采用2号光刻板刻蚀所述压电材料层； S6，采用3号光刻板刻蚀所述下驱动电极层和所述粘接层； S7，采用4号光刻板刻蚀所述SOI片正面的所述绝缘层； S8，采用5号光刻板在所述SOI片正面的顶硅层上制备感应电极焊盘，通过磁控溅射法和揭开-剥离法制备得到所述感应电极焊盘，其中，所述感应电极焊盘使用Cr和Au，Cr厚度为50nm，Au厚度为300nm； S9，采用6号光刻板刻蚀所述SOI片正面的顶硅层； S10，在所述SOI片正面旋涂保护材料； S11，去除所述SOI片背面的所述绝缘层，并采用7号光刻板刻蚀所述SOI片的底硅层和埋氧层，通过反应离子刻蚀法去除所述SOI片背面的所述绝缘层，在去除过程中通入CHF3气体；并通过反应离子刻蚀法刻蚀所述SOI片的底硅层和埋氧层，在刻蚀过程中通入CHF3气体； S12，去除所述SOI片正面的所述保护材料，得到MEMS电场传感器，通过反应离子刻蚀法去除所述SOI片正面的所述保护材料，去除过程中通入O2气体。

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