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龙图腾网获悉山西宸润隆科技有限责任公司申请的专利一种高电压模拟电路集成芯片控制的无起爆药电子雷管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116734682B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310057446.7，技术领域涉及：F42C19/12；该发明授权一种高电压模拟电路集成芯片控制的无起爆药电子雷管是由郭建国;任流润设计研发完成，并于2023-01-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高电压模拟电路集成芯片控制的无起爆药电子雷管在说明书摘要公布了：本发明要求保护一种高电压模拟电路集成芯片控制的无起爆药电子雷管，具体属于无起爆药电子雷管技术领域；所要解决的技术问题为：提供一种高电压模拟电路控制的无起爆药电子雷管硬件结构的改进；解决该技术问题采用的技术方案为：印刷电路板与等离子点火具焊接的一端通过塑料密封塞封装在卡腰中；雷管金属外壳通过卡腰与装药外壳连接为一体，装药外壳的内部设置有雷管装药结构；印刷电路板上焊接有高电压模拟电路集成芯片、MCU微处理芯片和高压储能电容器，印刷电路板的另一端设置有电路板控制端口，电路板控制端口外接两线制脚线与起爆器远程连接，两线制脚线通过封口塞封装在卡口中；本发明应用于无起爆药电子雷管。

本发明授权一种高电压模拟电路集成芯片控制的无起爆药电子雷管在权利要求书中公布了：1.一种高电压模拟电路集成芯片控制的无起爆药电子雷管，包括设置在雷管金属外壳（100）内部的印刷电路板（200），所述印刷电路板（200）的一端焊接有等离子点火具（300），其特征在于：所述印刷电路板（200）与等离子点火具（300）焊接的一端通过塑料密封塞封装在卡腰（101）中； 所述雷管金属外壳（100）通过卡腰（101）与装药外壳（501）连接为一体，所述装药外壳（501）的内部设置有雷管装药结构（400）； 所述印刷电路板（200）上焊接有高电压模拟电路集成芯片（21）、MCU微处理芯片（22）和高压储能电容器（202），所述印刷电路板（200）的另一端设置有电路板控制端口，所述电路板控制端口外接两线制脚线（600）与起爆器远程连接，所述两线制脚线（600）通过封口塞（500）封装在卡口（102）中； 所述高电压模拟电路集成芯片（21）的型号为CRL-100，内部使用的元器件包括： 瞬态抑制二极管TVS、电桥Z1、二极管D1-D4、稳压二极管W1-W2、电压调制器Wa、三极管T1-T9、电阻R1-R13； 所述高电压模拟电路集成芯片（21）内部的电路结构为： 所述高电压模拟电路集成芯片（21）的VA端口并接瞬态抑制二极管TVS的一端后与电桥Z1的2脚相连； 所述高电压模拟电路集成芯片（21）的VB端口并接瞬态抑制二极管TVS的另一端后与电桥Z1的4脚相连； 所述电桥Z1的1脚分别并接三极管T2的集电极、电阻R1的一端、三极管T1的集电极后与高电压模拟电路集成芯片（21）的VH端口相连，所述三极管T1的基极并接电阻R1的另一端后与稳压二极管W1的负极相连； 所述三极管T1的发射极并接二极管D1的正极后与电压调制器Wa的1脚相连，所述电压调制器Wa的2脚与高电压模拟电路集成芯片（21）的RX端口相连，所述电压调制器Wa的3脚与电阻R3的一端相连； 所述二极管D1的负极并接电阻R4的一端后与三极管T3的集电极相连，所述三极管T3的基极并接电阻R4的另一端后与稳压二极管W2的负极相连，所述三极管T3的发射极并接电阻R5的一端、三极管T4的发射极后与高电压模拟电路集成芯片（21）的VCC端口相连，所述电阻R5的另一端并接二极管D2的正极后与高电压模拟电路集成芯片（21）的DHJP端口相连； 所述二极管D2的负极与高电压模拟电路集成芯片（21）的DHJJ端口相连； 所述三极管T4的基极串接电阻R7后与高电压模拟电路集成芯片（21）的TX端口相连； 所述三极管T2的基极并接三极管T4的集电极后与电阻R6的一端相连，所述三极管T2的发射极并接电阻R2的一端后与高电压模拟电路集成芯片（21）的LB端口相连； 所述电桥Z1的3脚分别并接稳压二极管W1的正极、电阻R2的另一端、电阻R3的另一端、稳压二极管W2的正极、电阻R6的另一端后接地； 所述高电压模拟电路集成芯片（21）的CHR端口与三极管T5的基极相连，所述三极管T5的集电极与电阻R9的一端相连，所述电阻R9的另一端并接电阻R8的一端后与三极管T8的基极相连，所述三极管T8的发射极分别并接电阻R8的另一端、二极管D3的负极后与高电压模拟电路集成芯片（21）的VH端口相连； 所述二极管D3的正极与三极管T9的集电极相连，所述三极管T9的基极并接电阻R13的一端后与电阻R11的一端相连，所述三极管T8的集电极与电阻R10的一端相连，所述电阻R10的另一端与二极管D4的正极相连； 所述高电压模拟电路集成芯片（21）的DISC端口与三极管T6的基极相连，所述三极管T6的集电极与电阻R11的另一端相连； 所述高电压模拟电路集成芯片（21）的FPK端口与三极管T7的基极相连，所述三极管T7的集电极与电阻R12的一端相连，所述电阻R12的另一端分别并接二极管D4的负极、电阻R13的另一端、三极管T9的发射极后与高电压模拟电路集成芯片（21）的CGV+端口相连； 所述三极管T5的发射极分别并接三极管T6的发射极、三极管T7的发射极后接地； 所述高电压模拟电路集成芯片（21）的CGV+端口并接VHin端口后与高压储能电容器（202）的正极相连； 所述高电压模拟电路集成芯片（21）的Mout端口与等离子点火具（300）相连。

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