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龙图腾网获悉上海芯导电子科技股份有限公司申请的专利肖特基二极管及制作方法，以及电子设备及制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116072705B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310046958.3，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权肖特基二极管及制作方法，以及电子设备及制作方法是由王莹;欧新华;袁琼;陈敏;符志岗;孙春明;李艳旭设计研发完成，并于2023-01-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本肖特基二极管及制作方法，以及电子设备及制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种肖特基二极管，包括：肖特基二极管结构，该结构具体包括：衬底、外延层以及若干栅极沟槽；N+型离子注入区与第一势垒层；N+型离子注入区形成于远离若干栅极沟槽一侧的外延层中；第一势垒层形成于N+型离子注入区的表层中；层间介质层，覆盖外延层的表面，且暴露出若干栅极沟槽、若干栅极沟槽之间的外延层以及N+型离子注入区；第一金属层与钝化层，第一金属层形成于第一势垒层的顶端；钝化层包裹第一金属层，且暴露出部分第一金属层的表面；第一焊盘，形成于第一金属层暴露出来的表面上。该技术方案解决了由于传统打线工艺造成的对芯片有效面积的限制的技术问题。进而实现了降低肖特基二极管的压降和提高过电流能力的技术效果。

本发明授权肖特基二极管及制作方法，以及电子设备及制作方法在权利要求书中公布了：1.一种肖特基二极管，其特征在于，包括： 肖特基二极管结构，所述肖特基二极管结构包括：衬底、外延层、场氧层、若干栅极、第二势垒层以及若干栅极沟槽；所述外延层形成于所述衬底上；所述若干栅极沟槽形成于所述外延层中；场氧层形成于所述若干栅极沟槽的内壁上；若干栅极分别填充于所述若干栅极沟槽中；第二势垒层形成于所述若干栅极沟槽之间的所述外延层的表层； N+型离子注入区与第一势垒层；所述N+型离子注入区形成于远离所述若干栅极沟槽一侧的所述外延层中；所述第一势垒层形成于所述N+型离子注入区的表层中； 层间介质层，覆盖所述外延层的表面，且暴露出所述若干栅极沟槽、所述若干栅极沟槽之间的所述外延层以及所述N+型离子注入区； 第一金属层与钝化层，所述第一金属层形成于所述第一势垒层的顶端；所述钝化层包裹所述第一金属层，且暴露出部分所述第一金属层的表面； 第一焊盘，形成于所述第一金属层暴露出来的表面上； 第二金属层，覆盖所述第二势垒层与所述栅极的顶端； 其中，所述钝化层还包裹所述第二金属层，且暴露出部分所述第二金属层的表面； 第二焊盘，形成于所述第二金属层暴露出来的表面上。

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