西安交通大学;烟台先进材料与绿色制造山东省实验室田边获国家专利权
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龙图腾网获悉西安交通大学;烟台先进材料与绿色制造山东省实验室申请的专利一种基于光通量检测的MEMS光学电场传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116047139B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310092196.0，技术领域涉及：G01R15/22；该发明授权一种基于光通量检测的MEMS光学电场传感器是由田边;雷嘉明;张仲恺;李乐;刘江江;徐书生;赵立波;蒋庄德设计研发完成，并于2023-02-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于光通量检测的MEMS光学电场传感器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于光通量检测的MEMS光学电场传感器，硅微结构栅格层与玻璃镀铬栅格层上下排布组成敏感结构，下层硅微结构通过弹簧连接在底层硅结构之上，上层玻璃镀铬层通过键合的方式固定在硅微结构之上，上层结构固定不动下层硅微结构随电场变化发生形变，光源从正上方垂直入射，再穿过两层结构后被接收，下层硅微结构的形变引发的栅格与上层栅格重叠面积发生变化，从而实现接收光通量的变化，能够实现强电磁环境下的电场强度测量，制备封装方法简单，便于安装使用，且成本较低，可应用于电力系统状态监测、空间电场检测等多场景测电场。
本发明授权一种基于光通量检测的MEMS光学电场传感器在权利要求书中公布了：1.一种基于光通量检测的MEMS光学电场传感器，其特征在于，包括玻璃镀铬层1，玻璃镀铬层1的表面溅射阵列设置有栅格状金属铬2，玻璃镀铬层1设置在器件层3上，器件层3设置在底硅层5上，器件层3和底硅层5之间设置有绝缘层4，栅格状金属铬2与器件层3上的硅微结构栅格8上下排布组成敏感结构，利用硅微结构栅格8形变后与栅格状金属铬2重叠面积的变化实现接收光通量的变化。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西安交通大学;烟台先进材料与绿色制造山东省实验室，其通讯地址为：710049 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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