西安电子科技大学哈媛获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种自支撑型钌/羟基氧化钴电催化剂及制备方法和应用获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116200776B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310231984.3,技术领域涉及:C25B11/093;该发明授权一种自支撑型钌/羟基氧化钴电催化剂及制备方法和应用是由哈媛;马颖妍;李智敏;陈亮强;安子骐设计研发完成,并于2023-03-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种自支撑型钌/羟基氧化钴电催化剂及制备方法和应用在说明书摘要公布了:本发明涉及一种自支撑型钌羟基氧化钴电催化剂及制备方法和应用,制备方法包括:步骤1、采用热合成法制备自支撑型超薄钴基纳米片前驱体;步骤2、将自支撑型超薄钴基纳米片前驱体作为工作电极,采用阳极氧化法制备自支撑型超薄羟基氧化钴纳米片;步骤3、将自支撑型超薄羟基氧化钴纳米片作为工作电极制备自支撑型钌羟基氧化钴电催化剂,其中,电解质是含有水合三氯化钌的水溶液。本发明提供的自支撑型钌羟基氧化钴电催化剂及制备方法,克服了低效、高成本、催化活性低、稳定性差、难以工业化生产的问题。
本发明授权一种自支撑型钌/羟基氧化钴电催化剂及制备方法和应用在权利要求书中公布了:1.一种自支撑型钌羟基氧化钴电催化剂的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括: 步骤1、采用热合成法制备自支撑型超薄钴基纳米片前驱体; 步骤2、将自支撑型超薄钴基纳米片前驱体作为工作电极,采用阳极氧化法制备自支撑型超薄羟基氧化钴纳米片; 步骤3、将自支撑型超薄羟基氧化钴纳米片作为工作电极制备自支撑型钌羟基氧化钴电催化剂,其中,电解质是含有水合三氯化钌的水溶液。
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