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龙图腾网获悉无锡极电光能科技有限公司申请的专利一种钙钛矿薄膜制备设备、制备方法及钙钛矿电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116240499B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310285758.3，技术领域涉及：C23C14/24；该发明授权一种钙钛矿薄膜制备设备、制备方法及钙钛矿电池是由请求不公布姓名;王良乐;姚博;邵君;于振瑞设计研发完成，并于2023-03-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种钙钛矿薄膜制备设备、制备方法及钙钛矿电池在说明书摘要公布了：本发明提供一种钙钛矿薄膜制备设备、制备方法及钙钛矿电池，所述钙钛矿薄膜制备设备包括真空制膜系统和MFC气体流量控制系统，所述真空制膜系统的进气口连接所述MFC气体流量控制系统；所述真空制膜系统包括真空单元和抽真空单元，所述真空单元包括真空腔室，所述真空腔室的出气口连接所述抽真空单元。本发明通过增加MFC气体流量控制系统进行设备改造，可以有效控制设备内残余气体分子的成分及数量，使其在不影响薄膜纯度的同时制备出疏松多孔的金属卤化物薄膜，这有利于后续有机组分的渗入，增大钙钛矿的成核结晶，制备得到高质量且大面积的钙钛矿薄膜和性能优异的器件；该设备结构简单、工艺参数稳定性高，适合大规模应用和批量生产。

本发明授权一种钙钛矿薄膜制备设备、制备方法及钙钛矿电池在权利要求书中公布了：1.一种钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，所述制备方法采用钙钛矿薄膜制备设备； 所述钙钛矿薄膜制备设备包括真空制膜系统和MFC气体流量控制系统；所述真空制膜系统的进气口连接所述MFC气体流量控制系统； 所述真空制膜系统包括真空单元和抽真空单元，所述真空单元包括真空腔室，所述真空腔室的出气口连接所述抽真空单元； 所述制备方法包括以下步骤： （1）将基片放置于真空腔室中，通过抽真空单元进行抽真空； （2）通过MFC气体流量控制系统通入工作气体； （3）将原料真空沉积在所述基片的表面，形成金属卤化物薄膜； （4）在所述金属卤化物薄膜的表面制备有机卤化物薄膜，经过热处理，得到所述钙钛矿薄膜； 步骤（1）所述通过抽真空单元进行抽真空之后，真空腔室内的真空度小于等于1×10- 5Pa； 步骤（2）所述通入工作气体之后，真空腔室内的真空度稳定在1×10-4-2×10-3Pa的范围内； 步骤（2）所述工作气体包括氮气和或惰性气体。

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