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龙图腾网获悉西南大学申请的专利一种碱金属薄膜、制备方法、应用及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116732470B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310433124.8，技术领域涉及：C23C14/16；该发明授权一种碱金属薄膜、制备方法、应用及装置是由李佐;王俊忠设计研发完成，并于2023-04-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种碱金属薄膜、制备方法、应用及装置在说明书摘要公布了：本发明涉及一种碱金属薄膜、制备方法、应用及装置。碱金属薄膜的制备方法，包括以下步骤：采用硅片制备获得Si‑7×7衬底；在真空条件下，给镉源除气，然后加热使镉原子蒸镀到Si‑7×7衬底的表面，获得Cd薄膜；在真空条件下，给对三联苯分子除气，然后加热使对三联苯分子蒸镀到Cd薄膜的表面，获得对三联苯分子薄膜；在真空条件下，给碱金属源除气，然后加热使碱金属原子蒸镀到对三联苯分子薄膜的表面，获得碱金属掺杂对三联苯分子薄膜；在真空条件下，对碱金属掺杂对三联苯分子薄膜进行退火处理，获得碱金属薄膜。本发明制备了一种碱金属超薄膜，拓宽了碱金属薄膜的使用范围，且提高了性能。

本发明授权一种碱金属薄膜、制备方法、应用及装置在权利要求书中公布了：1.一种碱金属薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 硅111-7×7衬底的制备：采用硅片制备获得硅111-7×7衬底； 镉0001薄膜的生长：在真空条件下，给镉源除气，然后加热使镉原子蒸镀到硅111-7×7衬底的表面，获得镉0001薄膜；在蒸镀过程中，硅111-7×7衬底的温度保持在室温条件； 对三联苯分子110薄膜的生长：在真空条件下，给对三联苯分子除气，然后加热使对三联苯分子蒸镀到镉0001薄膜的表面，获得对三联苯分子110薄膜，在蒸镀过程中，镉0001薄膜的温度保持在零下185℃~零下180℃之间； 碱金属掺杂对三联苯分子110薄膜的生长：在真空条件下，给碱金属源除气，然后加热使碱金属原子蒸镀到对三联苯分子110薄膜中，获得碱金属掺杂对三联苯分子薄膜；在蒸镀过程中，对三联苯分子110薄膜的温度保持在零下155℃~零下150℃之间； 碱金属薄膜的生长：在真空条件下，将碱金属掺杂对三联苯分子薄膜置于真空中，在室温下放置20~40min，使碱金属掺杂对三联苯分子薄膜温度从零下195℃上升到零下110℃，再传入扫描隧道显微镜STM中冷却到零下195℃，完成退火过程，获得碱金属薄膜。

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